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19 2025 www markttechnik de Aktuell 3 Fortsetzung von Seite 1 Neue Leistungshalbleiter-Trends werden Der entscheidende Unterschied zwischen den Lowund High-Volt-Varianten liege laut Dr Deboy in der Substratstabilisierung um die Isolation zwischen den Bauelementen zu verbessern und die Durchbruchspannung erhöhen zu können Dabei könne hochisolierendes Material wie SiC und Saphir zum Einsatz kommen Bereits im März dieses Jahres hatte Navitas Semiconductor mit der GaNFast-IC-Familie erste bidirektionale 650-V-GaN-Leistungshalbleiter auf den Markt gebracht Ihr Einsatz wird erstmals bei Solar-Microinvertern von Enphase Energy erfolgen Infineon Technologies wiederum hat kurz nach der PCIM einen CoolGaN Bidirectional Switch BDS 650 V G5 vorgestellt Auch von Renesas Electronics soll es zeitnah entsprechende Produkte geben Kunden wie Enphase würden sich wohl ungern auf das Risiko eines Single-Sourcings einlassen Deutlich höher bezüglich der Sperrspannungsklasse lag ein bidirektionaler 1200-V-GaN-Schalter mit integrierten Freilauf-Dioden den das Fraunhofer IAF in Nürnberg vorstellte Speziell bei der Entwicklung von elektrischen Antriebssystemen im Hochvoltbereich wäre das von Interesse Mit steigenden Sperrspannungen steigt die Ladeleistung und die Verluste im Betrieb sinken infolge geringerer Widerstände Noch dominieren Fahrzeuge mit 400-V-Lösungen den Markt doch die 800-V-Technik gewinnt an Marktbedeutung Ein Sprung auf 1200 Vwürde sich positiv auf die Langstreckentauglichkeit von Elektroautos auswirken und den Nutzwert etwa elektrischer Lastkraftwagen erhöhen Auch für Vehicleto-Grid-Anwendungen oder Energy-Sharing-Systeme dürfte bidirektionales GaN in Zukunft eine große Rolle spielen In den Gesprächen auf der PCIM wurde deutlich dass inzwischen fast jeder namhafte Hersteller an entsprechenden Schaltern arbeitet Ob es dabei wirklich 650-V-Bauteile sein müssen zieht Dr Alex Lidow CEO und Mitgründer von EPC jedoch in Frage »Es können 650-V-Bausteine sein es wäre aber auch möglich solche High-Voltage-Applikationen mit Low-Voltage-GaN-Leistungshalbleitern durch Multilevel-Topologien zu realisieren Das nötige Ökosystem dafür wäre heute bereits vorhanden« Wohl eher auf 650 Vscheint man beispielsweise bei Texas Instruments zu setzen Dort erwartet Harald Parzhuber System Manager Grid Infrastructure Renewable Energy entsprechende Bausteine innerhalb der nächsten zwei Jahre Neben dem Trubel um Bidirectional GaN gab es auf der PCIM aber auch noch andere interessante Entwicklungen und Trends So nutzte der gerade erst zum 1 Mai bestellte neue CEO von Wolfspeed Robert Feurle die Möglichkeit erste Hinweise zu geben wie er Wolfspeed in die Zukunft führen will So ist das Unternehmen zur Optimierung der Produktion auf der Suche nach einem COO Feurle plant zudem das Waferund Device-Geschäft in Zukunft in einer Organisation zusammenzufassen Bezüglich der Technologie müsse die Qualität wieder im Vordergrund stehen »mein Ziel ist es Wolfspeed wieder zum Technologieführer im SiC-Geschäft zu machen« Den einen oder anderen dürfte es sicher auch überrascht haben wie offensiv inzwischen Bosch auf Messen wie der PCIM auftritt So wird das Unternehmen im nächsten Jahr seine SiC-Fertigung in Reutlingen auf 200 mm umgestellt haben Die im September 2023 erworbene Halbleiter-Fab im kalifornischen Roseville wird nach Aussage von Ralf Bornefeld Senior Vice President und General Manager der Business Unit Power Semiconductors and Modules »Mitte 2026 outputready sein« Bosch entwickelt inzwischen in Zeitschritten von zwei bis zweieinhalb Jahren neue SiC-MOSFET-Generationen Ende 2026 wird die 3 Generation auf den Markt kommen Bosch SiC-MOSFETs sind mittlerweile auch über die Distribution erhältlich Und Bosch beschäftigt sich auch mit GaN wie Bornefeld bestätigt Hochvolt-GaN-Bausteine von Bosch dürften noch vor Ende dieses Jahrzehnts auf den Markt kommen Wie flexibel der SiC-Markt in der aktuellen Situation geworden ist zeigt das Beispiel Mitsubishi Electric Nicht nur sind die SiC-MOSFETs des Unternehmens inzwischen auch extern erhältlich Mitsubishi ermöglicht durch die Zusammenarbeit mit Nexperia dem Unternehmen auch den schnellen SiC-Einstieg in den Automobilund Automotive-Markt So hat Nexperia ein D2-PAK7-Gehäuse für planare 1200-V-SiC-Japanische Präzision seit 1935 400 + Messgeräte Zubehör online verfügbar Hier entdecken shop hioki eu de HIOKI EUROPE GmbH Helfmann-Park 2 | 65760 Eschborn Made in Ja pan – Auf Lager i n Deutschlan d Seite 6 Dr Gerald Deboy Infineon Technologies »Um bidirektionales GaN für Hochvoltanwendungen einsetzen zu können kommt es auf die Substratstabilisierung an um die Isolation zwischen den Bauelementen zu verbessern und die Durchbruchspannung erhöhen zu können «