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8 Elektronik 17 2024 GMM-News 1 5 MW an elektrischer Leistung aufgewendet werden Für ein hypothetisches Hyper-NA-Gerät würde aus verschiedenen Gründen noch einmal deutlich mehr Leistung benötigt werden Hierzu kommt nun eine besonders exotische Idee ins Spiel Gegenwärtig wird EUV-Licht mit einer Plasmaquelle erzeugt – Tropfen flüssigen Zinns werden durch eine Folge von Laserimpulsen so stark erhitzt dass ein Plasma entsteht welches dann die EUV-Strahlung abgibt Strahlung derselben Wellenlänge lässt sich aber auch mit einem geeignet dimensionierten sogenannten »Free Electron Laser« FEL erzeugen Da dazu vor allem ein Elektronenbeschleuniger benötigt wird liegen die »geeigneten Dimen sio - nen« in der Größenordnung von einigen 100 Metern Für dieselbe EUV-Leistung von 1000 Wmüsste dann wohl nur noch eine elektrische Leistung von circa 200 kW aufgewendet werden Weitere Vorteile fänden sich in spezifischen optischen Eigenschaften wie Polarisation Die Zu - kunft wird zeigen wo die Reise hingeht Inverse Lithography Ein weiterer Ansatzpunkt zum Erzielen eines hinreichend guten Kontrastes ist eine »Inverse Lithography« genannte Technologie Dabei wird mithilfe eines exakten Modells des Abbildungssystems eine Rückrechnung vorgenommen wie die Geometrie auf einer Maske aussehen muss damit auf dem Silizium-Wafer das gewünschte Bild entsteht Üblicherweise wird die Geometrie eines Schaltkreises als Manhattan-Geometrie – also bestehend aus achsenparallelen Rechtecken und auch 45°-Linien – dargestellt Inverse Lithography führt nun dazu dass die »idealen« Strukturen auf der Maske krummlinig »kurvilinear« berandet sind und nur noch entfernte Ähnlichkeit mit der Geometrie haben die man auf dem Wafer erzeugen will Das zieht erhebliche Konsequenzen für das Schreiben solcher Strukturen auf der Maske und bei Messung solcher Strukturen zur Qualitätsbeurteilung nach sich siehe später im Text unter »Metrologie« Um solche nicht mehr geradlinig berandeten Strukturen überhaupt effizient beschreiben zu können musste zunächst ein neuer Standard für ein geeignetes Datenformat entwickelt werden der jetzt den Namen SEMI P49 OASIS mit Multigon-Erweiterung erhalten hat Insbesondere in Beiträgen von Siemens Digital Industries Software Imec Intel und IMS Nanofabrication wurden erste Erfahrungen mit diesem Standard und weitere Fortschritte auf diesem Gebiet präsentiert Demnach ist wohl der nächste Schritt dass krummlinige Beschreibungen von Anfang an auch in den Entwurfssystemen verwendet werden und – zumindest für High-End-Chips – eine vollständige Abkehr von der bisher dominierenden Manhattan-Geometrie eintreten könnte Die nun schon in der dritten Generation verfügbaren Elektronen-Multibeam-Maskenschreiber von IMS Nanofabrication und Nuflare mit ihren Fähigkeiten diese Strukturen jetzt und in Zukunft in erträglicher Schreibzeit und mit notwendiger Genauigkeit zu erzeugen wurden in eigenen Beiträgen vorgestellt Metrologie In enger Beziehung zu der Erzeugung der Strukturen auf der Maske und ihrer Abbildung auf Wafern steht auch die entsprechende Messtechnik das heißt die Metrologie mit der für jede Maske verifiziert wird dass die auf der Maske geschriebenen Strukturen die richtige Größe haben und sich an den richtigen Stellen befinden Dafür werden sowohl lichtoptische als auch Elektronenmikroskope CD-SEM eingesetzt Gemessen werden dabei Linienbreiten Critical Dimension CD Position und viele andere Parameter Die aktuelle Herausforderung besteht nun darin dass die zu messenden Strukturen keine Linien und Rechtecke mehr sind Was also kann man überhaupt messen? Eine ganze Reihe von Beiträgen und Postern zum Beispiel von Zeiss Ad - vantest und Imec präsentierte Ansätze und Lösungen die mit wesentlich mehr CD-SEM-Messungen und neuen Präsentation des »Zeiss Award for Talents in Photomask Industry« von links Thomas Scheruebl Carl Zeiss SMT der diesjährige Preisträger Nicolas Triomphe Centre de Biologie Structurale INSERM CNRS Université de Montpellier Université Grenoble Alpes und CEA-Leti Grenoble und Uwe Behringer Conference Chair der EMLC 2024 Bild VDE Keynote-Sprecher Kurt Ronse Advanced Patterning Program Director bei Imec Belgien der auch Mitglied des EMLC-Programmkomitees ist gab einen Ausblick auf die zu erwartenden Entwicklungen in der Nanotechnologie bis zum Jahr 2040 Bild VDE