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17 2024 Elektronik 9 GMM-News Reliable Available Now www tracopower com EN 50155 EN 61373 IEC EN 62368-1 IEC EN 60335-1 UL 62368-1 ErP prepared IEC 62368-1 IEC EN 62368-1 IEC EN 60335-1 UL 62368-1 ErP prepared UL 62368-1 THN 10UIR 15UIR und THN 20UIR 10-15-und 20-Watt-DC DC-Wandler mit ultraweitem 12 1-Eingangsspannungsbereich Kompaktes 25 4 × 25 4 mm grosses Gehäuse Ultraweiter 12 1-Eingangsspannungsbereich 9–75 und 14–160 V DC Kühlung durch natürliche Konvektion von –40°Cbis +70°Cohne Lastreduktion Zertifi ziert nach EN 50155 EN 45545-2 und EN 61373 Spezieller Überbrückungskondensatoranschluss Serie Leistung Eingangsspannung Ausgangsspannung Stellfl äche THN 10UIR 10 W 9–75 und 14–160 V DC 5 1 12 15 24 ±12 ±24 V DC 25 4 × 25 4 mm THN 15UIR 15 W 9–75 und 14–160 V DC 5 1 12 15 24 ±12 ±24 V DC 25 4 × 25 4 mm THN 20UIR 20 W 9–75 und 14–160 V DC 5 1 12 15 24 ±12 ±24 V DC 25 4 × 25 4 mm Auswertealgorithmen die Maßhaltigkeit von Strukturen mit einem Edge-Placement-Error EPE -Wert beschreiben unabhängig davon wie gerade oder gekrümmt die gemessenen Kanten wirklich sind Im Übrigen ist dies ebenfalls ein wichtiges Anwendungsgebiet von maschinellem Lernen und KI-Programmen wie in mehreren Beiträgen der Data Analytics Session gezeigt wurde in der es außerdem um KIunterstützte Fab-Steuerung und Prozessmodelle ging In mehreren Beiträgen wurde deutlich welche Anstrengungen unternommen werden müssen um Resiste bereitzustellen die mit der immer besser werdenden Auflösung der Lithographiegeräte mithalten können Schon seit einigen Jahren wird dazu an Resisten geforscht in denen komplexe Metall-Oxid-Komponenten eingelagert sind was gute Absorption und geringe Molekülgrößen begünstigt – notwendige Voraussetzungen um die mit High-NA-Geräten mögliche Auflösung auch im Resist abbilden zu können Eine beachenswerte studentische Präsentation des Fraunhofer IISB aus Erlangen war der Simulation von sogenannten Multi-Trigger-Resist-Materialien gewidmet die zunehmend an Interesse gewinnen – auch für die High-NA-EUV-Lithographie In den Sessions und Beiträgen dieser Konferenz war nicht zu übersehen dass die größten und absehbar teuersten Innovationen zwar im High-NA-EUV-Bereich sowie in damit zusammenhängenden Bereichen stattfinden aber dennoch die größten Stückzahlen an Masken Halbleitern und anderen Produkten der Nano-Industrie mit »reifen Technologien« hergestellt werden – und sogar in diesen wird über stetige Fortschritte berichtet So werden für KrFund ArF-Scanner 248 nm bzw 193 nm mit weiterentwickelten Abbildungsoptiken Beleuchtungssystemen und weiteren Innovationen neue Spitzenwerte für Durchsatz und Overlay erreicht Eine ganze Reihe von Anwendungen insbesondere bei der Herstellung von photonischen und nanooptischen Bauelementen kann von Leistungssteigerungen bei Vistec-VSB-Elektronenstrahlschreibern Variable Shaped Beam VSB profitieren wie in Beiträgen vom IMS Chips Stuttgart und vom Fraunhofer IOF Jena gezeigt wurde Der auch in diesem Jahr ausgelobte »Zeiss Award for Talents in Photomask Industry« der an den besten studentischen Beitrag vergeben wird ging an Nicolas Triomphe Université Grenoble Alpes CEA-Leti für sein Paper »Selfassembly of shapecomplementary DNA origamis for lithography applications« Mit dem EMLC 2024 Best Paper Award wurde Lieve Van Look Imec mit ihrem Vortrag »Stitching at resolution for High-NA an experimental process window study« ausgezeichnet Der Gewinner des EMLC 2024 Best Poster Award war Matthias Roesch Carl Zeiss SMT mit »Quantitative access to phaseeffects in High-NA photomasks using AIMS« Die 40 Ausgabe der EMLC wird im Juni 2025 in Dresden stattfinden Reinhard Galler EQUIcon Software Jena ih