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6 Elektronik 17 2024 GMM-News Innovationen aus Maskenherstellung und Lithographie Die EMLC 2024 gastiert in Grenoble Vom 17 bis 19 Juni fand die EMLC – nun bereits zum vierten Mal – im schönen und modernen Konferenzzentrum des MINATEC Campus Micro and Nanotechnology Innovation Center im französischen Grenoble statt Den circa 170 Teilnehmern aus aller Welt bot sich ein breit aufgestelltes Programm Die 72 Präsentationen der »European Mask and Lithography Conference EMLC 2024« teilten sich auf in vier Keynotes 44 Vorträge – davon 17 eingeladene und acht studentische Vorträge – zwei Tutori als sowie 22 Poster davon wiederum acht studentische die inhaltlich den Vorträgen entsprachen Damit waren es noch ein mal deutlich mehr Präsentationen als im vergangenen Jahr was ein Zeichen für die weiter wachsende Relevanz sowie das steigende Interesse an dieser Kon ferenz darstellt Die Keynotes gaben wie immer einen Überblick über die Entwicklungsrichtun gen und Trends in der Halbleiterindus trie und den verwandten Gebieten der Mikro und NanoTechnologie Während im letzten Jahr einer der Schwerpunkte die Begrenzung des überbordenden Energie bedarfs der gegenwärtigen und zukünfti gen KIAnwendungen war so erweiterte sich dieses Thema in der Keynote von Serge Nicoleau ST Microelectronics nun auch auf die allgemeine Nachhaltigkeit der Prozesse in der Halbleiterindustrie also die Reduzierung des Ressourcenver brauchs und den zunehmenden Verzicht auf giftige bzw langfristig umweltschäd liche Substanzen wie beispielsweise PFAS Per and Polyfluoroalkyl Substan ces – sogenannte EwigkeitsChemikalien Weitere Keynotes von Kagawasan Canon Sebastian Dauvé CEALeti und Kurt Ronse Imec behandelten den aktu ellen Status und Ausblick für die Nano ImprintLithographie das HalbleiterFor schungsprogramm FAMES bei CEALeti und die EUVLithographie Insbesondere der Beitrag von Kurt Ronse eröffnete eine Vorschau auf die zu erwartenden Entwick lungen in der NanoTechnologie bis zum Jahr 2040 Während führende Unterneh men der Halbleiterindustrie kurz vor der Einführung von HighEndProzessen mit dem TechnologieNode N2 stehen in dem beispielsweise die Leiterzüge in den dich testen Verdrahtungsebenen eine Breite von etwa 11 nm aufweisen soll im Node A1 Thema der Keynote von Sebastian Dauvé CEO von CEA-Leti war das Halbleiter-Forschungsprogramm FAMES bei CEA-Leti Bild VDE Serge Nicoleau Group Vice-President Technology bei STMicroelectronics in Frankreich sprach in seiner Keynote über die Nachhaltigkeit von Prozessen in der Halbleiterindustrie Bild VDE Bild V DE