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Aktuell PINK GmbH Thermosysteme Am Kessler 6 · 97877 Wertheim info@pink de · pink de Besuchen Sie uns auf der PCIM EUROPE 2024 Halle 5 Stand 311 Nürnberg 11 – 13 Juni 2024 Zu Sinterung von Halbleitern auf keramischen Substraten und auf Leadframes Substraten auf Bodenplatten Kupfersubstraten ohne Oxidation Chip-Oberseitenkontaktierung High-Power LEDs Vorteile Sintern verschiedener Layouts ohne Wechsel des Oberwerkzeugs Mehrlagensinterung Hohe Flexibilität und Kontrolle der Sinteratmosphäre Prozessführung unter inerter oder reduzierender Atmosphäre Für Prozessentwicklung und -optimierung KOMPAKTE SINTERANLAGE SIN 20 Anzeige X-Fab und Soitec »SmartSiC«-Wafer für SiC-Komponenten X -Fab wird die »SmartSiC«- Wafer von Soitec die das Unternehmen für die effiziente Fertigung von SiC-Leistungshalbleitern entwickelt hat in ihrer Fab in Lubbock Texas fertigen X-Fab Pionier und Vorreiter des Foundry-Modells auf dem schnell wachsenden SiC-Markt hat in der Fab in Texas bereits SmartSiC-Wafer mit einem Durchmesser von 150 mm hergestellt Nachdem die Bewertungsphase erfolgreich abgeschlossen werden konnte startet jetzt die Zusammenarbeit mit Soitec Soitec wird den Kunden von X-Fab über ein gemeinsames Lieferketten-Konsignationsmodell den einfachen Zugang zum den SmartSiC-Wafern bieten »Diese Zusammenarbeit ist ein wichtiger Meilenstein für die Einführung von SmartSiC auf dem US-Markt – und dank der globalen Präsenz von X-Fab auch international« sagt Emmanuel Sabonnadiere Executive Vice President Automotive and Industry von Soitec Die Foundry-Dienstleistungen von Soitec und die SmartSiC-Substrate von Soitec ergänzten sich gut um die steigende Nachfrage nach neuen robusten SiC-Produkten für den Einsatz in Elektrofahrzeugen erneuerbaren Energien und industriellen Anwendungen zu entwickeln und zu produzieren SmartSiC nennt Soitec ihre proprietäre Technologie die auf dem »SmartCut«-Prozess des Unternehmens basiert Dabei wird eine dünne Schicht eines hochwertigen monokristallinen Mono-SiC »Donor«-Wafers abgespalten und auf einen polykristallinen Poly-SiC »Handle«-Wafer mit geringem Widerstand gebondet Auf dem so entstandenen Substrat lassen sich SiC-Leistungshalbleiter herstellen die eine höhere Leistungsfähigkeit erreichen als in konventionellen Prozessen gefertigte Substrate Das Verfahren ermöglicht zudem dass ein einziger Donor-Wafer mehrfach wiederverwendet werden kann was die Kosten und die damit verbundenen CO 2 -Emissionen erheblich reduziert > Soitec und X-Fab erhöhen SiC-Kapazitäten Weil der Bedarf an SiC-Leistungshalbleitern schnell wächst fährt Soitec die Produktion von SmartSiC-Substraten in seinem neuen Werk in Bernin bei Grenoble Frankreich hoch X-Fab erhöht die Produktionskapazität für SiC-Bauelemente im Werk in Lubbock Der Einsatz des SmartSiC-Substrats ermöglicht es den Kunden von X-Fab kleinere Bauelemente zu entwerfen was zu Effizienzsteigerungen durch eine höhere Anzahl von Dies pro Wafer führt Der Vorteil der verringerten CO 2 -Emissionen aus dem Herstellungsprozess des Substrats trägt auch zur Initiative von X-Fab bei seinen gesamten CO 2 -Fußabdruck zu verringern ha ■ Die Fab von X-Fab in Lubbock Texas Bi ld X -Fab