Der Blätterkatalog benötigt Javascript.
Bitte aktivieren Sie Javascript in Ihren Browser-Einstellungen.
The Blätterkatalog requires Javascript.
Please activate Javascript in your browser settings.
12 Elektronik 07 2024 Impulse 2 Generation SiC-MOSFETs Bis zu 51 kW aus einem D2-PAK-7-Gehäuse Mit der Entwicklung der 2 Generationen der CoolSiC-MOSFETs ist es den Entwicklern bei Infineon gelungen Leistungskennzahlen wie etwa Speicherladung und Verlustenergien gegenüber der 1 Generation um mehr als 20 Prozent zu verbessern Damit eröffnet Infineon ein neues Kapitel hinsichtlich möglicher Energieeinsparungen und der Senkung der CO2-Emissionen Vor acht Jahren stellte Infineon Technologies auf der PCIM 2016 seine ersten 1200-V-CoolSiC-MOSFETs vor im Jahr darauf dann startete die Volumenfertigung der hauseigenen Siliziumkarbid-MOSFET-Technologie Sieben Jahre später stellt das Unternehmen nun seine zweite Generation CoolSiC-MOSFETs vor Neben den klassischen 650-und 1200-V-Versionen bringt das Unternehmen auch erstmals diskrete 400-V-SiC-MOSFETs für Industrieanwendungen auf den Markt Während die Massenproduktion der 650-und 1200-V-SiC-MOSFETs für Industrieanwendungen bereits hochläuft wird der diskrete 400-V-SiC-MOSFET für die nahe Zukunft angekündigt Ebenfalls bereits in Massenproduktion befindet sich ein 750-V-SiC-Modul für Automotive-Anwendungen die Fertigung von 1200-V-SiC-MOSFET-Modulen mit Automotive-Grade befindet sich in der Anfangsphase entsprechende 650-und 1200-V-SiC-MOSFET-Module kündigt das Unternehmen für die nahe Zukunft an Wie Dr Peter Friedrichs anlässlich der Vorstellung der 2 SiC-Dr Peter Friedrichs Infineon Technologies Die neue Generation ermöglicht ein schnelles Design kostenoptimierter kompakter zuverlässiger und hocheffizienter Systeme die bei jedem Watt installierter Leistung Energieeinsparungen ermöglichen und damit CO 2 -Emissionen senken MOSFET-Generation erklärte befinden sich die neuen Bauteile in China bereits im Einsatz dort stellte der Automobilhersteller SAIC bereits das Elektrofahrzeug IM LS6 vor das mit auf CoolSiC G2 basierenden CoolSiC HybridPacks ausgestattet ist Wie Dr Friedrichs bei der Präsentation der neuen Generation hervorhob ist es den Entwicklern bei Infineon gelungen Leistungskennzahlen wie Speicherladung und Verlustenergie um mehr als 20 Prozent gegenüber der ersten Generation zu verbessern ohne dabei die Qualität und Zuverlässigkeit der Bauteile zu beeinträchtigen Konkret bedeutet das dass je nach typischen Lastfällen die Chip-Performance und die Figure of Merit FOM um 5 bis 20 Prozent verbessert wurde Durch Verbesserungen der XT-Gehäusetechnologie wurde der thermische Widerstand um 12 Prozent verbessert Auch der R DS on verbessert sich Gegenüber den zweistelligen Werten der 1 Generation sinkt er auf einstellige Werte wie 6 7 mOhm 650 Vund 7 7 mOhm 1200 V Umgemünzt auf klassische Hard-Switching-Anwendungen bedeutet das laut Dr Friedrichs eine Reduzierung der Leistungsverluste um bis zu 10 Prozent Im Fall von Soft-Switching sind es bis zu minus 5 Prozent In vielen Applikationen die mit geringeren Lasten ar - beiten verbessert sich die Situation durch den Einsatz von SiC-MOSFETs der Durch die Kombination der verschiedenen Verbesserungen ermöglicht die CoolSiC-G2-Trench-Technologie in Kombination mit der XT-Gehäusetechnologie auch die Realisierung eines 1200-SiC-MOSFET 2G mit einem R DS on von 8 mOhm in einem D2-PAK-7-Gehäuse Mit 51 kW wird in diesem Fall die bislang höchste Leistung in einem SMD-Gehäuse mit D2-PAK-7-Formfaktor erreicht beide Bilder Infineon Technologies Bild Ilg un s to ck a do be c om