Der Blätterkatalog benötigt Javascript.
Bitte aktivieren Sie Javascript in Ihren Browser-Einstellungen.
The Blätterkatalog requires Javascript.
Please activate Javascript in your browser settings.
07 2024 Elektronik 13 Impulse 2 Generation von Infineon hinsichtlich der Leistungsverluste um bis zu 20 Prozent Durch die Kombination der verschiedenen Verbesserungen ermöglicht die CoolSiC-G2-Trench-Technologie von Infineon in Kombination mit der XT-Gehäusetechnologie die Realisierung eines 1200-SiC-MOSFET 2G mit einem R DS on von 8 mOhm in einem D2-PAK-7-Gehäuse Mit konkret 51 kW wird damit die bislang höchste Leistung in einem SMD-Gehäuse mit D2-PAK-7-Formfaktor erreicht Welche Bedeutung Infineon dem Thema Gehäusevielfalt beimisst lässt sich anhand der Roadmap für die Markteinführung der 2 Generation ermessen So werden in der ersten Welle der Markteinführung der CoolSiC 2G MOS-FETs die diskreten 400-V-Versionen in einem TOLL-Gehäuse 5 Produkte auf den Markt kommen Bei den diskreten 650-V-MOSFETs werden insgesamt drei Gehäusevarianten zur Auswahl stehen D2PAK-7 5 Produkte TO-247-4 4 Produkte und TO-247-3 4 Produkte Bei den diskreten 1200-V-Versionen schließlich werden es insgesamt 12 Produktvarianten in D2-PAK-7-Gehäusen sein Im Laufe der weiteren Markteinführung der 2 Generation im Verlauf dieses und nächsten Jahres werden insgesamt weitere 50 verschiedene Produkte in acht verschiedenen Gehäusevarianten auf den Markt kommen auch solche im Top-Side-Cooled-Package Mit den Verbesserungen der 2 Generation an CoolSiC-Bausteinen will Infineon Technologies ein neues Kapitel in der Leistungsund Energieumwandlung aufschlagen – ermöglicht die Technologie doch eine höhere Gesamteffizienz und treibt somit die Dekarbonisierung weiter voran Infineons neue CoolSiC-Generation steigert die Leistungsfähigkeit von Siliziumkarbid indem sie weniger Energieverluste und damit einen höheren Wirkungsgrad bei der Leistungsumwandlung ermöglicht Konkret würde eine Gleichstrom-Schnellladestation für Elektrofahrzeuge die mit CoolSiC G2 ausgestattet ist beispielsweise bis zu 10 Prozent weniger Leistungsverluste im Vergleich zu früheren Generationen aufweisen und damit eine höhere Ladekapazität bei gleichbleibenden Größenverhältnissen erzielen In einer Modellrechnung gibt Infineon bezogen auf 100 Millionen Fahrzeuge die im Jahr geladen werden eine mögliche Energieeinsparung von rund 900 GWh an Bezogen auf die eingesparten CO 2 -Emissionen ergäbe sich demnach eine Reduzierung um rund 350 000 Tonnen Das entspräche bezogen auf den Energieverbrauch und die damit verbundenen CO 2 -Emissionen einer kleinen Stadt mit 80 000 Häusern »Megatrends verlangen nach neuen und effizienten Wegen Energie zu erzeugen zu übertragen und zu verbrauchen« stellt Dr Peter Wawer Divisionpräsident Green Industrial Power bei Infineon Technologies fest »mit dem CoolSiC MOSFET G2 hat Infineon nun ein neues Leistungsniveau bei Siliziumkarbid erreicht« eg