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papers wurde eine JEDEC-Richtlinie speziell für GaN-Leistungsschaltbausteine JEP 180 ausgegeben JEP 180 definiert Tests die an Bauelementen durchgeführt werden sollten um die realen Einsatzbedingungen in einer Anwendung zu simulieren etwa Soft Switching Hard Switching oder Ähnliches Bei Si-MOS-FETs gilt ein Bauelement das die JEDEC-Standardtests bestanden hat als qualifiziert und das hat sich als ausreichend erwiesen Im Falle von GaN ist die Durchführung von JEDEC-Standardtests zwar obligatorisch aber Zuverlässigkeitsexperten haben erkannt dass erweiterte Tests erforderlich sind um Ausfälle unter realen Schaltbedingungen wie sie in JEP 180 beschrieben sind zu vermeiden Derzeit ist JEP 180 ein Leitfaden aber es wird erwartet dass er zu einem Standard wird Innoscience und andere Unternehmen testen in Übereinstimmung mit diesem Standard Bild 6 beschreibt weitere Einzelheiten JEDEC 180 empfiehlt dass ein Bauelement unter Widerstands-Schaltbedingungen belastet werden sollte Ein »schlechtes« Bauelement weist einen Anstieg des Durchlasswiderstands aufgrund des Charge-Trapping-Effekts auf und zeigt eine Verschlechterung sobald das Schalten hoher Spannungen beginnt Ein »gutes« Bauelement weist nur geringe Unterschiede auf und das dynamische Durchlasswiderstandsverhältnis also das Verhältnis zwischen statischem und dynamischem Durchlasswiderstand sollte unter 20 Prozent bleiben Inno science führt diesen Test 1000 Stunden lang durch Dabei zeigt sich ein sehr stabiler Einschaltwiderstand Bild Innoscience führt So wird etwa für ein 650-V-Bauteil der beschleunigte Sperrspannungstest zwischen 1200 und 1300 Vund bei 150 °Cdurchgeführt Bild 7 Beschleunigte Tests zeigen dass die Zeit die erforderlich ist um die InnoGaN-Bauteile bei maximaler Drain-Nennspannung oder maximaler Gate-Durchlassspannung zum Ausfall zu bringen zehn Jahre Lebensdauer bei 10 ppb überschreitet Fazit GaN-Technologie ist bei richtiger Implementierung äußerst zuverlässig Mit der erwiesenen Zuverlässigkeit und der preislichen Wettbewerbsfähigkeit sind die letzten verbleibenden Hindernisse beseitigt die Anwender vom Einsatz von GaN-Leistungsbauelementen abhalten eg ■ Zukunftsbereit? Ihr Upgrade-Pfad für AM335 Applikationen • Vielseitige Erweiterungsoptionen drahtlose Kommunikation über WIFI Mobile Network SD-Card und vieles mehr • Starke Konnektivität Highspeed-Schnittstellen mit 1 x USB OTG 2 x USB2 0 2 x CAN FD uvm • Effiziente Vernetzung Dank 1 x PoE und TSNfähiges Gbit-Ethernet • Visualisierung Mit 1 x LVDS optionaler 3D-GPU und 1 x CSI Kamera Haben Sie die Zukunft im Visier? Mehr Infos auf www tqgroup com ti Highlights STKa62xx Lverfügbar mit LGA oder Stecker Anzeige Bild 7 Beschleunigte Tests zeigen dass die Zeit die erforderlich ist um die InnoGan-Bauteile bei maximaler Drain-Nennspannung oder maximaler Gate-Durchlassspannung zum Ausfall zu bringen zehn Jahre Lebensdauer bei 10 ppb überschreitet Bild 6 der bei InnoGaN-Bauelementen für hohe Spannungen sowie für niedrige Spannungen deutlich unter 20 Prozent bleibt Innoscience führt auch auf Chipund Gehäuseebene routinemäßige JEDEC-Tests durch Dazu zählen High-Temperature-Gate-Bias HTGB High-Temperature-Reverse-Bias-Stress HTRB und sogar H3TRB High-Temperature-High-Humidity-High-Reverse-Bias-Test ein sehr strenger Test der typischerweise in der Automotive-Branche angewendet wird Darüber hinaus führt Innoscience auch Tests bis zum Ausfall durch um die Lebenserwartung zu extrapolieren Sie werden jenseits der maximalen Bauteilspezifikationen