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12 Buyers Guide 2023 www markttechnik de Halbleiter|Leistungshalbleiter Anzeige IPMs für unteren und mittleren Leistungsbereich IM523 heißt das jüngste Mitglied der CIPOS-Familie von Infineon Technologies Diese hocheffizienten IPMs basieren auf der neuen 600-V-Reverse-Conducting-Drive-2-IGBT-Technologie des Unternehmens und verfügen über einen offenen Emitter Konzipiert sind diese IPMs für die Steuerung von Drehstrommotoren in drehzahlvariablen Antrieben kleiner und mittlerer Leistung sowie für industrielle Lüfter und Antriebe bis 1 4 kW Kombiniert sind die RCD2 IGBTs mit einem vollwertigen Siliconon-Insulator Gate-Treiber der eine geringe Verlustleistung des Systems ermöglicht Die Konfiguration des dreiphasigen Wechselrichters mit offenen Emittern ist in einem DIP-Gehäuse 36x21 integriert Erhältlich sind die Bauteile in verschiedenen Stromstärken von 6 bis 17 Aund mit einer Durchbruchspannung von 600 Veg Infineon Technologies www infineon com support@infineon com Tel 089 234-0 Komplettes 650-V-GaN-HEMT-Portfolio Innoscience bringt 650-V-GaN-HEMTs mit R DS on -Werten von 190 350 und 600 mOhm in 8x8-und 5x6-DFN-Standardgehäusen auf den Markt und ergänzt damit die bereits am Markt erhältlichen Varianten mit 140 240 und 500 mOhm R DS on Für sich nicht wiederholende Ereignisse mit einer verlängerten Impulsdauer von bis zu 200 µs bieten die neuen Bauteile einen Drain-Source-Spannungsübergang von 800 V Für wiederkehrende Impulse bis 100 ns liegt dieser Wert bei 750 Valle Angaben für Bauteile mit 190 µOhm Alle 650-V-HEMTs von Innoscience haben den DHTOL-Zuverlässigkeitstest gemäß JEP180 bestanden eg Innoscience www innoscience com SalesEurope@innoscience com MOSFETs in neuem Top-Cool-Gehäuse Onsemi liefert seine neuen Top-Cool-MOSFETs im 5 7 mm großen TCPAC57-Gehäuse aus Sie verfügen auf der Oberseite über ein 16 5 mm 2 Wärmeleitpad Damit wird die Wärme direkt in einen Kühlkörper abgeleitet anstatt über die Leiterplatte Die Bausteine bieten einen hohen elektrischen Wirkungsgrad mit einem R DS on von 1 mOhm Darüber hinaus ist die Gate-Ladung mit 65 nC niedrig Onsemi liefert die TCPAK57-Reihe zu Beginn in 40-60-und 80-V-Versionen aus Sie lassen sich mit Sperrschichttemperaturen von +175 °Cbetreiben Sie sind AEC-Q101 qualifiziert und PPAPfähig Zusammen mit den Gull Wings die eine Inspektion der Lötstellen ermöglichen und der hohen Zuverlässigkeit auf Leiterplattenebene eignen sich die Bausteine für anspruchsvolle Automotive-Anwendungen eg onsemi www onsemi com info@onsemi com Dritte Generation 1200-V-SiC-MOSFETs Toshiba hat fünf neue 1200-V-SiC-MOSFETs der dritten Generation auf den Markt gebracht Durch das um mehr als 80 Prozent verbesserte Produkt aus Drain-Source-Widerstand und Gate-Drain-Ladung das sowohl statische als auch dynamische Verluste widerspiegelt steigert Toshibas neueste SiC-Technologie die Schaltgeschwindigkeit und verringert die Verluste in Leistungswandlerschaltungen Darüber hinaus enthalten die neuen Bausteine eine Schottky-Barriere-Diode Sie erhöht die Zuverlässigkeit der SiC-MOSFETs und unterdrückt Schwankungen des R DS on Die Gate-Source-Spannungsbereiche erstrecken sich von -10 bis 25 V Durch den Gate-Schwellenspannungsbereich von 3 bis 5 Vwird eine vorhersagbare Schaltschwelle mit minimaler Drift gewährleistet Die R DS on -Werte der jetzt verfügbaren Bauelemente reichen von 15 bis 140 mOhm U GS 18 Vihre Drain-Stromwerte reichen von 20 bis 100 Aeg Toshiba Electronics Europe www toshiba semiconstorage com Tel 0211 2115296-0 N-Kanal-Bau element mit hoher Leistungsdichte Unter der Typenbezeichnung SiHK045N60EF stellt Vishay seinen neuesten 600-V-MOSFET der vierten Generation der EF-Serie mit schneller Body-Diode vor Der N-Kanal-MOSFET verbindet einen hohen Wirkungsgrad mit hoher Leistungsdichte Im Vergleich zur