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Buyers Guide 2023 www markttechnik de 13 generation ist der On-Widerstand der MOS-FETs um 29 Prozent niedriger Zudem weisen sie eine um 60 Prozent geringere Gate-Ladung auf Die MOSFETs bestechen zudem durch eine sehr niedrige Gate-Ladung von 79 nC Zur Verbesserung der Schaltleistung in ZVS-Topologien wie LLC-Resonanzwandlern bietet der MOSFET sehr niedrige effektive Ausgangskapazitäten Gegenüber Bauteilen im PowerPAK 8x8-Gehäuse weist der SiHK045N60EF im PowerPAK 10x12 einen um 31 Prozent niedrigeren Wärmewiderstand auf eg Vishay www vishay com businesseurope@vishay com Tel 09287 710 Fax 09287 70435 Stromversorgungs-Design-Tool Power Integration hat vor Kurzem eine neue Funktion in sein Stromversorgungs-Design-Tool PI Expert eingefügt So verfügt das Design-Tool jetzt auch über einen Planar-Magnetics-Builder der ein anwendungsspezifisches Planar-Transformator-Design erzeugt komplett mit herstellergefertigter Dokumentation für Leiterplatten und Gerber-Dateien In der neuesten Version unterstützt PI Expert jetzt außerdem noch die gesamte Familie der InnoSwitch 3 Flyback-Switcher-IC von Power-Integrations So liefert die Funktion Magnetics-Design in PI Expert vollständige Informationen zu Planartransformatoren einschließlich Stack-Spezifikation vertikalem und horizontalem PCB-Aufbau Leiterbahnparametern Stromdichteinformationen und Schichtwiderstand Dabei berücksichtigt das Tool automatisch die vom Benutzer angegebenen Luftund Kriechstrecken eg Power Integrations www power com info@power com Tel 0041 323444747 Fax 0041 32344 Flexible 1200-SiC-MOSFET-Module Unter der Typenbezeichnung A2F12M12W2-F1 hat STMicroelectronics ein neues STPower-Modul mit 1200-V-SiC-MOSFETs vorgestellt Es handelt sich konkret um ein Four-Pack-Modul das sich unter anderem als Vollbrückenlösung für Anwendungen wie etwa DC DC-Wandler empfiehlt Als weiteres Modul basiert das A2U12M12W2-F2 auf einer 3-Level-Topologie von Typ T Es verbindet geringe Leitungsund Schaltverluste mit einer gleichbleibend hohen Ausgangsspannungsqualität Die eingesetzten 1200-V-SiC-MOSFETs der zweiten Generation von STMicroelectronics weisen einen typischen R DS on von 13 mOhm pro Die auf Durch das Gehäuse wird eine Isolationsspannung von 2 5 kV rms geboten Es beinhaltet einen eingebetteten NTC-Temperatursensor der sich für Schutzund Diagnosezwecke im System nutzen lässt Für beide Module beträgt der Einzelpreis 235 20 US-Dollar eg STMicroelectronics www st com info@st com Tel 089 460060 GaN-ICs verkleinern Motorantriebe Mit dem GaNbasierten Wechselrichter-Referenzdesign EPC9176 von EPC lässt sich die Leistungsfähigkeit Reichweite Präzision und das Drehmoment von E-Motorantrieben verbessern und gleichzeitig das Design vereinfachen Das Referenzdesign enthält die ePower-Leistungsstufe EPC23102 mit integriertem Gate-Treiber und zwei GaN-FETs mit 5 2 mOhm R DS on Der EPC9176 arbeitet mit einer Eingangsspannung von 20 bis 80 Vund kann maximal 28 A Strom bereitstellen Der EPC9176 passt zu kompatiblen Controllern verschiedener Hersteller EPC bietet Schnittstellenkarten EPC9147X für den Betrieb dieses Wechselrichter-Referenzdesigns mit den gängigsten Motoren Der EPC9176 enthält alle notwendigen Funktionen um komplette Motorwechselrichter zu unterstützen inklusive Gate-Treiber geregelte Hilfsstromschienen für die Eigenversorgung Spannungs-Temperaturmessung präzise Strommessung und Schutzfunktionen Das Referenz-Design-Board kostet 900 US-Dollar eg EPC www epcco com info@epcco com