Der Blätterkatalog benötigt Javascript.
Bitte aktivieren Sie Javascript in Ihren Browser-Einstellungen.
The Blätterkatalog requires Javascript.
Please activate Javascript in your browser settings.
Markt 30 Trend Guide Leistungshalbleiter 2022 www markttechnik de Ebenfalls Anfang September gab Wolfspeed der weltweit größte SiC-Materiallieferant bekannt mehrere Milliarden US-Dollar – einige Quellen mutmaßen 5 Mrd Dollar – für eine neue SiC-Materialfabrik in North Carolina zu investieren Die Chatham County Materials Facility Bild 2 soll die Kapazität des Unternehmens bei Substraten verzehnfachen Die erste Bauphase soll 2024 abgeschlossen sein Bis zum Ende des Jahrzehnts will das Unternehmen je nach Bedarf zusätzliche Kapazitäten schaffen Im Endausbau könnte das Werk eine Million Quadratmeter groß sein Auch der deutsche Materiallieferant SiCrystal der zum japanischen Rohm-Konzern gehört wächst durchschnittlich um 50 bis 60 Prozent pro Jahr Die derzeitige Kapazität für SiC-Roh-Wafer sei dem aktuellen Bedarf angemessen meinte CEO Dr Robert Eckstein gegenüber Markt Technik und am Standort Nürnberg gäbe es aktuell noch Ausbaureserven Darüber hinaus habe SiCrystal begonnen mögliche weitere Standorte zu evaluieren Neue Kapazitäten im Bereich Epitaxie Sind die SiC-Roh-Wafer fertig benötigen sie noch eine Epitaxialschicht damit daraus am Ende MOSFETs und Dioden werden Coherent hat Mitte März 2022 angekündigt neben seiner Materialfabrik in Hudson New Hampshire auch in sein Epitaxie-Werk in Kista Schweden zu investieren Der dort entwickelte Epitaxie-Prozess für SiC-Wafer zeichnet sich dadurch aus dass damit dicke Schichten in weniger Aufwuchsschritten als üblich hergestellt werden können Damit eignet sie sich besonders für Leistungsbauelemente in Anwendungen über 1 kV Anfang September vermeldete Showa Denko ein Spezialist für die Epitaxie von SiC-Wafern dass es mittlerweile Epitaxial-Wafer mit 200 mm Durchmesser bemustere Dadurch dass 200-mm-Wafer eine 1 8-mal größere Fläche als die im SiC-Bereich üblichen 150-mm-Wafer besitzen reduzieren sich die Fertigungskosten pro Bauteil Ende September hat onsemi einen Neubau an seinem Standort im tschechischen Roznov eröffnet in dem unter anderem Epitaxie-Prozesse für SiC-Roh-Wafer laufen Damit sollen sich die Fertigung von SiC-Epitaxie-Wafern und -Chips bis Ende 2024 um das 16-Fache vergrößern und 200 neue Arbeitsplätze entstehen In den Standort hat der Chiphersteller seit 2019 mehr als 150 Millionen US-Dollar investiert und plant bis 2023 weitere 300 Millionen US-Dollar bereitzustellen Anfang Oktober hat STMicroelectronics bekannt gegeben in ihrem Kompetenzzentrum für Leistungshalbleiter in Catania auf Sizilien eine Hochvolumen-Fertigungsstätte für Rohund Epitaxial-Wafer zu errichten in der alle Prozessschritte unter einem Dach vereint sind Die über fünf Jahre laufende Investition in Höhe von 730 Millionen Euro wird im Vollbetrieb rund 700 zusätzliche Arbeitsplätze schaffen Die Produktion soll im Jahr 2023 anlaufen und bis 2024 den Anteil der internen Substratbeschaffung auf 40 Prozent erhöhen In naher Zukunft will ST auch 200-mm-SiC-Wafer entwickeln Neue Kapazitäten im Bereich Wafer-Prozessierung Sind die SiC-Epitaxial-Wafer fertig können sie in den Wafer Fabs prozessiert werden damit daraus dann am Ende MOSFETs und Dioden werden Auch dafür müssen die Hersteller Kapazitäten aufbauen Seit Eröffnung der 300-mm-Fab in Villach im Jahr 2021 verlagert Infineon die bisherige Fertigung von Silizium-Leistungshalbleitern dorthin sowie in die 200-mm-Fab in Kulim Malaysia Somit werden in Villach Fertigungskapazitäten für 150-mmund 200-mm-Wafer frei die nun für Siliziumkarbid und Galliumnitrid bereitstehen Gleichzeitig investiert Infineon in Malaysia mehr als zwei Milliarden Euro in ein drittes Modul das ganz der Fertigung von Wide-Bandgap-Halbleitern gewidmet sein wird Bild 3 Der erste Spatenstich erfolgte im Januar 2022 und soll im Sommer 2024 einsatzbereit sein Die Investition dort soll Prozesse mit großer Wertschöpfungstiefe umfassen insbesondere Epitaxie sowie die Vereinzelung von Wafern Um die begrenzte Zahl an SiC-Wafern optimal zu nutzen hat Infineon Ende 2018 das Unternehmen Siltectra übernommen Mithilfe von deren Cold-Split-Verfahren lässt sich aus einem Standard-SiC-Wafer zwei bis drei dün-Bild 2 Modell der geplanten Chatham County Materials Facility mit der Wolfspeed seine Kapazität im Materialbereich verzehnfachen will Bi ld Wol fs pe ed Bild 3 Luftaufnahme der Front-End-Fertigung von Infineon in Kulim Malaysia Rechts ist der Bereich zu sehen wo das dritte Modul entstehen wird in dem Wide-Bandgap-Halbleiter prozessiert werden sollen Bi ld Infi ne on Tec hn ol og ie s