Der Blätterkatalog benötigt Javascript.
Bitte aktivieren Sie Javascript in Ihren Browser-Einstellungen.
The Blätterkatalog requires Javascript.
Please activate Javascript in your browser settings.
29 Trend Guide Leistungshalbleiter 2022 www markttechnik de Stark wachsende Bedarfe bei Siliziumkarbid Überall werden Kapazitäten aufgebaut Um die voraussichtlichen Bedarfssteigerung bei Siliziumkarbid bewältigen zu können ist es nötig die Fertigungskapazitäten für Substrate und Wafer-Prozessierung massiv auszubauen Wer macht was um die Bedarfe befriedigen zu können? Geht es nach den Marktforschern von TrendForce soll der Umsatz bei SiC-Halbleitern allein im Automotive-Bereich im laufenden Jahr die Marke von 1 Milliarde US-Dollar überspringen Bis 2026 soll sich der Umsatz fast vervierfachen Gleichzeitig dürfte laut Robert Castellano von The Information Network der Markt für SiC-Umrichter für Elektroautos bis 2030 jährlich um 56 Prozent wachsen Das ist überproportional denn der Markt für Elektrofahrzeuge wächst »nur« um 25 Prozent pro Jahr Nicht berücksichtigt sind hierbei noch On-Board-Ladegeräte und Ladesäulen in die auch noch viele SiC-Bausteine fließen dürften Für das Jahr 2030 prognostiziert die Yole Group einen weltweiten Umsatz von 11 Milliarden US-Dollar bei Siliziumkarbid über alle Anwendungsfelder hinweg Um diese voraussichtlichen Bedarfssteigerung bewältigen zu können ist es nötig die Fertigungskapazitäten für Substrate Epitaxie und Wafer-Prozessierung massiv auszubauen Es folgt ein Überblick wer in den letzten zwölf Monaten welche Investitionen angekündigt oder bereits zu Ende geführt hat Neue Kapazitäten im Bereich Substrate Der größte Flaschenhals beim Bewältigen der Bedarfssteigerung ist die begrenzte Verfügbarkeit von Substraten Denn SiC-Boules also der Block aus dem die Wafer gesägt werden müssen bei etwa 2200 °Caus der Gasphase abgeschieden werden und sind am Ende gerade einmal 25 mm lang Damit sind die Kosten für einen SiC-Wafer im Vergleich zu einem Silizium-Wafer 30-bis 50-mal höher Daher bilden die SiC-Substrate auch den größten Kostenblock an den Bauteilen und liegen laut Prof Peter Gammon bei rund 30 Prozent der Gesamtkosten für einen SiC-MOSFET Verschiedene Substrathersteller investieren im Moment um diesem Flaschenhals zu begegnen Mitte März 2022 hat Coherent früher II-VI Corporation angekündigt in den nächsten zehn Jahren 1 Milliarde US-Dollar zu investieren Dazu wird das USamerikanische Unternehmen sein fast 300 000 m 2 großes Werk in Easton Pennsylvania erweitern Dort soll sich die Produktion bis 2027 mindestens versechsfachen und das Äquivalent von einer Million 150-mm-Substraten pro Jahr erreichen wobei der Anteil der 200-mm-Substrate im Laufe der Zeit zunehmen dürfte Ebenfalls im März gab Showa Denko bekannt nun auch selbst Roh-Wafer mit einem Durchmesser von 150 mm in Serie zu fertigen Im Jahr 2018 hatte das japanische Unternehmen die mit SiC-Wafern verbundenen Aktiva der Nippon Steel Group übernommen und seither die Prozesse für die Massenfertigung von SiC-Roh-Wafern weiterentwickelt Mitte August verfünffachte onsemi seine Kapazität für SiC-Boules im Vergleich zum Vorjahr Mit seiner neuen Materialfertigung in Hudson New Hampshire Bild 1 erhält das Unternehmen nach eigener Aussage die volle Kontrolle über die Lieferkette seiner SiC-Produktion angefangen bei der Beschaffung von SiC-Pulver bis hin zur Auslieferung der fertig verkapselten Bauteile Genau ein Jahr zuvor im August 2021 hatte onsemi für 415 Millionen US-Dollar den SiC-Materiallieferanten GT Advanced Technologies GTAT übernommen Anfang September dieses Jahres eröffnete der südkoreanische Wafer-Hersteller SK Siltron CSS eine neue Fertigungsstätte für SiC-Substrate in Bay City Michigan Dies ist Teil einer Erweiterung in Höhe von 300 Millionen US-Dollar die das Unternehmen im Juli 2021 angekündigt hatte Dadurch soll sich die Produktionskapazität in den nächsten Jahren vervierfachen Erst 2020 hatte das Unternehmen für 450 Millionen Dollar die SiC-Wafer-Sparte des US-Chemieriesen DuPont erworben Bild 1 Hassane El-Khoury CEO von onsemi und US-Handelministerin Gina Raimondo Bildmitte bei der Eröffnung der neuen SiC-Materialfabrik in Hudson New Hampshire Bild onsem i