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Das Material der nächsten Generation für eine größere Reichweite und kürzere Ladezeit Für den Antrieb eines Elektrofahrzeugs EV spielt der Antriebsstrang eine Schlüsselrolle Das Herzstück des Antriebsstrangs ist das leistungselektronische System Wechselrichter IGBT als Hauptschalter dominieren nach wie vor den Markt für Wechselrichter im Antriebsstrang Anforderungen wie Platzbedarf Gewicht und Leistungsfähigkeit spielen eine immer wichtigere Rolle Die Produktentwicklungsund Herstellungskosten sollten niedrig bleiben Gleichzeitig sollte das Design zu kompakteren Systemen führen während die Qualität und Zuverlässigkeit der Produkte gewährleistet sein muss Dies führt zu anspruchsvolleren Designanforderungen auf Systemund Bauteilebene und wirkt sich letztlich auf die Gesamtzusammensetzung von Leistungsbauteilen und anderen Systemkomponenten aus Es ist heute allgemein bekannt dass Sibasierte IGBTs ihre physikalischen Grenzen fast erreicht haben Diese Tatsache öffnet die Tür für neue Halbleitermaterialien wie z B Siliziumkarbid das in den letzten Jahren von der Automobilbranche als zuverlässiges und effizientes Leistungsbauteil für Antriebsanwendungen anerkannt wurde MIT SILIZIUMKARBID-TECHNOLOGIE IN DIE ZUKUNFT Der aktuelle Trend der großen Automobilzulieferer für Antriebsstränge konzentriert sich auf 800-Volt-SiC-Wechselrichterlösungen während 400-Volt-SiC-Wechselrichterlösungen nach wie vor eine gewisse Rolle spielen Höhere Spannungen 400 Voder 800 Vund eine höhere Ladeleistung bis zu 350 kW können die Reichweite erhöhen und die Ladezeit durch schnelles Aufladen verkürzen was das Leben der Autofahrer erheblich vereinfachen wird In diesem Zusammenhang bieten SiC-Halbleiter – z B SiC-MOSFETs für 800-Voltund 400-Batterie-Systeme – effizienteres Schalten im Wechselrichter höhere Frequenz steilere Schaltflanken ROHM hat vor kurzem die 4 Generation von SiC-MOSFETs angekündigt die sich aus der bestehenden Trench-Gate-Struktur entwickelt hat Mit der neuesten Generation konnte der ON-Widerstand um 40 % und die Schaltverluste um bis zu 50 % im Vergleich zur vorherigen Generation reduziert werden SiC-Leistungshalbleiter sind die beste Wahl um die Effizienz der Leistungsumwandlung in Anwendungen zu erhöhen in denen hohe Spannungen und hohe Stromdichten erforderlich sind zum Beispiel in Elektrofahrzeugen Mit einem internen vertikal integrierten Fertigungssystem bietet ROHM qualitativ hochwertige Produkte und eine stabile Versorgung des Marktes Gehen Sie den nächsten Entwicklungsschritt mit unseren SiC-MOSFETs der 4 Generation Mehr Infomationen https www rohm com products sicpowerdevices