Der Blätterkatalog benötigt Javascript.
Bitte aktivieren Sie Javascript in Ihren Browser-Einstellungen.
The Blätterkatalog requires Javascript.
Please activate Javascript in your browser settings.
11 2021 Elektronik 25 Leistungselektronik Tabelle Parameter der verschiedenen eGaN-Bauelemente die für die Gleichung 1 benutzt wurden Parameter EPC2045 EPC2215 a1 0 6 0 6 a2 K½ b a1 2 8b a1 a3 K½ min 1000 1000 b K½ 2105 2105 ħωLO meV 92 92 UFD V 100 210 α V 10 25 Robert Strittmatter Ph Dist Vice President Reliability bei Efficient Power Conversion EPC wo er sich seit 2010 mit der Zuverlässigkeit und Charakterisierung von GaN-Bauelementen beschäftigt Vor seiner Tätigkeit bei EPC war er als Director Device Development bei GEOST tätig wo sein Tätigkeitsbereich ein breites Spektrum rund um die Entwicklung elektrooptischer Systeme abdeckte vor allem für Zulieferer des US-Verteidigungsministeriums Die Tätigkeit umfasste alle Phasen der Systementwicklung von der Modellierung und dem Design bis zur Implementierung und den endgültigen Tests Strittmatter promovierte im Bereich Halbleiterphysik am California Institute of Technology Alejandro Pozo Ph Dist Senior Reliability and Applications Engineer bei EPC wo er sich seit 2017 mit der Zuverlässigkeit und Charakterisierung von GaN-Bauelementen beschäftigt Vor seiner Tätigkeit bei EPC arbeitete er als EE Applications Engineer bei LG Chem Im Jahr 2017 erhielt er den akademischen Grad Ph Din Elektrotechnik vom Illinois Institute of Technology für seine Arbeit an Treibern für SiC-BJTs Alex Lidow Ph Dist CEO und Mitgründer von Efficient Power Conversion EPC Vor der Gründung von EPC war er CEO bei International Rectifier Lidow ist Miterfinder des HEXFET-Leistungs-MOSFETs Er hält zahlreiche Patente im Bereich der Leistungshalbleitertechnologie und hat zahlreiche Veröffentlichungen zu verwandten Themen verfasst darunter das erste Lehrbuch über GaN-Transistoren »GaN Transistors for Efficient Power Conversion« das nun in der dritten Auflage bei John Wiley and Sons erschienen ist Lidow hält einen Bachelor of Science des California Institute of Technology Caltech und einen Ph Dvon der Stanford University Referenzen 1 Lidow Aet al GaN Transistors for Efficient Power Conversion 3rd Edition J Wiley 2020 ISBN 9781118844762 2 Dynamic On-Resistance Test Method Guidelines for GaN HEMT Based Power Conversion Devices v1 0 JEDEC-Standard JEP173 2019 3 Pozo Aet al EPC eGaN Device Reliability Testing Phase 12 Efficient Power Conversion Modell sagt alle folgenden Phänomene erfolgreich voraus ➔ RDS on nimmt mit der Zeit zu ➔ Die Steigung des RDS on über der Zeit hat einen negativen Temperaturkoeffizienten d h geringere Steigung bei höherer Temperatur ➔ Die Schaltfrequenz beeinflusst die Steigung nicht verursacht aber einen kleinen vertikalen Offset ➔ Der Schaltstrom beeinflusst die Steigung nicht ➔ Der Unterschied zwischen induktivem und ohmschem harten Schalten lässt sich vernachlässigen Die vollständige Ableitung dieser Gleichungen findet sich 3 Hier jedoch fehlen die vereinfachenden Annahmen die in dieser Referenz verwendet wurden Gleichung 1 Worin Die Werte der in der Tabelle aufgeführten Parameter gelten für den EPC2045 oder andere 100-V-FETs der fünften Generation bzw für den EPC2215 oder andere 200-V-FETs der fünften Generation Gleichung 1 modelliert die erwartete Lebensdauer eines eGaN-FETs basierend auf den Schaltbedingungen der DrainSpannung und der Temperatur Diese Gleichung ist nützlich für Kunden die eine Schätzung der Lebensdauer unter bestimmten Einsatzszenarien benötigen um Anforderungen an die Qualität oder Zuverlässig zu erfüllen Mit Gleichung 2 lassen sich die Auswirkungen bei der Änderung der Schaltfrequenz f oder des Schaltstroms Ivon einem Satz von Bedingungen f1 I1 zu einem anderen Satz f2 I2 bestimmen Die Auswirkung dieser Änderungen auf den RDS on ist lediglich ein vertikaler Offset in der log t -Kurve von einer Bedingung zur anderen Bild 5 Die Steigung der Kennlinie ändert sich nicht Zu beachten ist dass der Offset vom Logarithmus der Frequenz oder des Stroms abhängt und daher von diesen Variablen nur schwach beeinflusst wird Gleichung 2 Fazit eGaN-Bauelemente werden seit über elf Jahren in Serie gefertigt und haben sowohl in Labortests als auch in Kundenanwendungen eine sehr hohe Zuverlässigkeit bewiesen z Bfür Lidar in autonomen Fahrzeugen in 4G-Basisstationen Fahrzeugscheinwerfern Satelliten etc EPC führt weiterhin strenge Testto-Fail-Tests durch um intrinsische Fehlermechanismen und deren Verhalten unter allen Belastungsarten zu isolieren Diese Informationen werden genutzt um in Zukunft noch robustere leistungsstärkere und kostengünstigere Produkte für die Stromwandlung zu entwickeln rh