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Leistungselektronik ist als bei Silizium sind neben Maßnahmen die die Defektdichte verringern auch Methoden wichtig die die Auswirkung der Defekte auf das Endprodukt reduzieren Solche Methoden sind zum Beispiel elektrische Selektionsverfahren sogenannte Screening-Verfahren Beides erfordert ein hohes Maß an Knowhow und ein breites Hintergrundwissen rund um die Herstellungsprozesse Materialeigenschaften und Ausfallmechanismen Infineon hat neben der langjährigen Expertise mit Siliziumtechnologien auch wissenschaftliche Kooperationen während Neues EU-Energielabel Die Leistungsanalysatoren von Yokogawa sind für Sie der Schlüssel zum Erfolg wenn es um die Entwicklung von energieeffizienten Produkten geht Precision Making tmi yokogawa com de Das gelbe Yist der Schlüssel zum grünen A WT333E Digitaler Leistungsanalysator Yokogawa_EK 08 pdf S 1 Format 185 00 x 128 00 mm 01 Apr 2021 15 54 58 der Entwicklung und Produktion von SiCbasierten Leistungsbauelementen genutzt um diese intensiv zu analysieren und maßgeschneiderte ScreeningVerfahren zu entwickeln So konnte das Unternehmen neue Tests und Modellierungsansätze entwickeln die auch Betriebsarten einbeziehen die bei Silizium-Leistungshalbleitern weniger üblich sind Zusätzlich modifiziert es bereits etablierte Tests um SiCspezifische Anforderungen zu berücksichtigen Im Laufe der Zeit entstanden somit aussagekräftige Charakterisierungsund Validierungsschemata die Bild 1 Darstellung verschiedener Arten extrinsischer Defekte im Gate-Oxid Bild Infineon Technologies von Grenzflächenzuständen in MOSbasierten Bauelementen auswirkt Im Betrieb entstehen innerhalb des Materials und an den äußeren Grenzflächen zum Beispiel an den Randabschlussstrukturen bis zu zehnmal stärkere elektrische Felder was wiederum die Lebensdauer des Oxids beeinflussen kann und spezielle Abschirmstrukturen erfordert Gleichzeitig können im Gate-Oxid von SiC-MOSFETs vermehrt Schwachstellen auftreten die auf sogenannte extrinsische Defekte zurückzuführen sind Dabei handelt es sich um winzige Verzerrungen bzw Störungen im Gate-Oxid die im Prinzip so wirken als wäre das Oxid an diesen Stellen dünner Derartige Störungen stehen oft in Zusammenhang mit Epitaxieoder Substratdefekten 1 metallischen Verunreinigungen Partikeln oder anderen extrinsischen Einschlüssen im Gate-Oxid die während der Herstellung der Bauelemente eingebracht wurden Bild 1 Weil die extrinsische Defektdichte bei SiC selbst heute noch immer viel größer