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18 Elektronik 08 2021 Leistungselektronik Im Vergleich zu Silizium-MOSFETs weisen Siliziumkarbid-MOSFETs eine hohe Anzahl an Defekten im Gate-Oxid auf lange Zeit ein ernstes Problem bei deren Zuverlässigkeit und für die Kommerzialisierung Doch in den vergangenen Jahren kamen bessere Fertigungsmethoden und neue Testverfahren mit Einfluss auch auf die Zuverlässigkeit des Gate-Oxids Von Dr Thomas Aichinger Viele Konzepte und Technologien die sich bei der Verarbeitung von Silizium durchgesetzt haben ließen sich bei der Entwicklung der Siliziumkarbid-Technologie SiC übernehmen darunter auch Verfahren um die Langzeitstabilität von Siliziumbauelementen zu Gate-Oxid-Zuverlässigkeit SiC-MOSFETs im Stresstest verifizieren Tiefergehende Analysen haben jedoch gezeigt dass SiCbasierte Bauelemente noch zusätzliche Zuverlässigkeitstests erfordern Zum Beispiel ist das Material selbst auf spezifische Defektstrukturen zu untersuchen Des Weiteren sind im Gegensatz zu Silizium auftretende Anisotropien und andere mechanische sowie thermische Eigenschaften zu berücksichtigen Zudem haben SiC-Bauelemente im Gegensatz zu Si-Bausteinen eine größere Bandlücke was sich auf Dichte und Dynamik Bild Shutterstock