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03 2021 Elektronik ➔ Energy Harvesting und drahtlose Energieübertragung Session 37 Umgebungsenergie ist überall um uns herum sei es Licht Wärme Bewegung Vibration elektrische magnetische Streufelder oder andere Quellen Die Umwandlung dieser Energie in elektrische Energie und die Übertragung dieser Energie ohne Kabel ist der Schlüssel zur Entwicklung von leistungsfähigeren autonomen drahtlosen ferngesteuerten und schwer unmöglich vernetzbaren Geräten für eine Vielzahl von Anwendungen ➔ Designund Technologie-Co-Optimierung DTCO von fortschrittlicher Logik und Speichern Session 41 Angesichts der zunehmenden Raffinesse und Komplexität von Halbleiterbauelementen und Softwaredesign-Tools ist es notwendig Hardwareund Softwareentwickler zusammenzubringen damit sie integriert und effizient arbeiten können um zukünftige Geräte schneller und kostengünstiger zu produzieren aber es gibt noch zahlreiche Herausforderungen Neue Wege in der CMOS-Technologie Gestapelte NMOSauf-PMOS-Nanoribbons Von planaren MOSFETs über FinFETs bis hin zu Gate-All-Around GAA oder Nanoribbon-Bauelementen haben neuartige Transistorarchitekturen eine entscheidende Rolle dabei gespielt die vom Mooreschen Gesetz vorhergesagte Leistung zu erreichen Intel-Forscher werden beschreiben was der nächste Schritt in dieser Entwicklung sein könnte NMOSon-PMOS-Transistoren die aus mehreren selbstausgerichteten gestapelten Nanobändern Nanoribbons aufgebaut sind Diese Architektur verwendet einen vertikal gestapelten Dual-Source Drain-Epitaxieprozess und einen Dual-Metal-Gate-Fertigungsprozess der es ermöglicht verschiedene leitfähige Arten von Nanobändern zu bauen sodass Schwellenspannungsanpassungen sowohl für die oberen als auch für die unteren Nanobänder vorgenommen werden können Der Ansatz kombiniert eine exzellente Elektrostatik Unterschwellensteigung von <75 mV dec und DIBL Drain Induced Barrier Lowering von <30mV Vfür Gates 230 nm mit einem Weg zu einer signifikanten Reduzierung Bild 1 NMOSon-PMOS-Transistoren die aus mehreren selbstausgerichteten gestapelten Nanobändern Nanoribbons aufgebaut sind Diese Architektur von Intel verwendet einen vertikal gestapelten Dual-Source Drain-Epitaxieprozess und einen Dual-Metal-Gate-Fertigungsprozess Bild IEDM | Intel Als einer der führenden Distributoren für elektronische Bauelemente bieten wir Ihnen weltweit ein breites Produktportfolio kompetente technische Unterstützung bei Produktentwicklung und Design individuelle Logistik-Lösungen sowie umfangreiche Serviceleistungen ■ Semiconductors ■ Passive Components ■ Electromechanical Components ■ Displays & Monitors ■ Boards & Systems ■ Storage Technologies ■ Wireless Technologies Informationen zu RUTRONIK Tel +49 0 7231 801-0 | rutronik@rutronik com www rutronik com Als einer der führenden Distributoren für elektronische HIGHTECHBAUELEMENTE für Ihre Innovationen COMMITTED TO EXCELLENCE Consult | Components | Logistics | Quality