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6 Elektronik 03 2021 impulse 66 International Electron Devices Meeting Die Highlights der Halbleiterforschung Die Corona-Pandemie zwang auch die traditionsreiche Halbleiterkonferenz IEDM in den virtuellen Raum In dieser Ausgabe geht es zunächst um die Highlights bei CMOS-Technologien Eine Fortsetzung ist geplant zu Speichern und Quanten-Computing sowie Bildgebung und HF-Technik Von Gerhard Stelzer Pandemiebedingt fand das 66 International Electron Devices Meeting IEDM im Web statt was jedoch kaum Einfluss auf die Struktur der Konferenz hatte abgesehen davon dass die mehr als 220 Vorträge in 41 Sessions zeitlich auf eine Woche gestreckt werden konnten Auf der IEDM 2020 fanden sechs Focus Sessions zu neuen Schlüsseltechnologien statt Diese Vorträge behandelten eine Reihe von Themen die sich mit den Lücken Herausforderungen und Möglichkeiten für neue Ansätze und Technologien befassen einschließlich Fragen und Anforderungen auf Systemebene Benchmarks aktueller Technologien und F&ERichtungen für die benötigten neuen Materialien Geräte Schaltungen und Modellierungs-Fertigungsansätze ➔ Bauelementetechnologien für kryogene Elektronik Session 25 Unter kryogener Elektronik versteht man den Betrieb elektronischer Bauelemente bei Temperaturen von -150 °Cbis zum absoluten Nullpunkt -273 °C Die theoretische Leistung von Elektronik in diesem Bereich ist besser als die von konventionellen Bauelementen u a wegen der verbesserten thermischen elektrischen Leitfähigkeit der geringeren Leistungsaufnahme der Reduzierung von parasitären Verlusten und der verminderten chemischen metallurgischen Degradation Es ist jedoch noch viel Arbeit nötig um das volle Potenzial von kryogenen Geräten zu realisieren ➔ GaNund SiC-Projektionen vom Bauelement zur Systemintegration Session 27 Wide-Bandgap-Halbleiter WBG haben eine relativ große Energiebandlücke im Vergleich zu Silizium-Halbleitern was zu kleineren schnelleren und effizienteren Bauelementen führt Diese Fähigkeiten machen WBG-Bauelemente für eine Vielzahl von Stromversorgungsanwendungen attraktiv aber die mit WBGBauelementen betriebenen Wandler erfordern viel Innovation ➔ Zukünftige Interconnect-Technologien Session 32 Unter Interconnect versteht man die Verdrahtung die Transistoren und andere Bauelemente in einem integrierten Schaltkreis IC miteinander verbindet Ein zentrales Problem im Zusammenhang mit Interconnects ist dass die Leistung moderner ICs durch den zunehmenden Widerstand bzw die Kapazität der Interconnects bei immer kleineren Abmessungen begrenzt wird Ein weiterer wichtiger Punkt ist der Bedarf an effektiven Verbindungsstrategien für eine Reihe von 3Dund 2 5D-Chip-Architekturen und Gehäuseoptionen ➔ Technologien die 5G und mehr ermöglichen Session 34 5G ist die fünfte und nächste Generation der Mobilfunktechnologie die wesentlich schnellere Netzwerkgeschwindigkeiten größere Bandbreiten geringere Latenzzeiten reduzierte Übertragungskosten pro Bit und erweiterte Verbindungsmöglichkeiten verspricht Sie wird eine Vielzahl neuer Kommunikationsund Datenverarbeitungsansätze und -anwendungen ermöglichen Teil 1