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10 Buyers Guide 2021 www markttechnik de Halbleiter|Leistungshalbleiter Aktive und passive Schutzkomponenten Wayon ist Hersteller von Halbleitern sowie passiven und aktiven Schutzkomponenten für Anwendungen in der Industrie und der Telekommunikation im Automotivesowie im Konsumgüterbereich Erhältlich sind die Produkte ab sofort bei TRS-Star Zu den Überstromschutzkomponenten zählen selbstrückstellende Sicherungen PPTC & PTC und SMD-Sicherungen Zum Produktportfolio gehören ebenfalls Überspannungssschutzkomponenten gegen Störeinflüsse wie z B ESD und EOS Power-Suppressor-Dioden Thyristoren und Gasentladungsröhren GDT Super-Junction-MOSFETs im Spannungsbereich von 600 bis 1200 Vsowie Schutz-ICs LDOs und DCDC-Konverter runden das Spektrum ab Wayon ist ISO-9001-und ISO-14001-zertifiziert und fertigt gemäß ISO TS 16949 Alle Bauteilefamilien für den Automotive-Bereich sind AECQzertifiziert Das Unternehmen beschäftigt mehr als 500 Mitarbeiter Davon entfallen ca 20 Prozent des Personals auf die Bereiche Forschung und Entwicklung Das Unternehmen entwickelt und produziert alle Produktfamilien ausschließlich in eigenen Labors und auf eigenen Anlagen zü TRS-Star www trsstar com info@trsstar com Tel 07249 95222-0 SiC-Modul für Solarwechselrichter Mit der Serie NXH40B1210MNQ hat On Semiconductor ein SiC-Leistungsmodul auf den Markt gebracht das einen 1200-V 40-mΩ- SiC-MOSFET und eine 1200-V 40-A-SiCBoost-Diode mit zwei Boost-Stufen enthält Das Modul wurde vom Solarinverter-Hersteller Delta zur Realisierung des 3-Phasen-Solarwechselrichters M70A 70 kW ausgewählt Der M70A erreicht damit Spitzenwirkungsgrade bei der Energieumwandlung von bis zu 98 8 Prozent Auf einfache Handhabung ausgelegt bieten die Module je nach Wunsch lötfreie Pressverbindungen und kundenspezifische Optionen für die Wärmeschnittstelle Erhältlich ist das Modul als 2-oder 3-KanalVariante Ergänzt wird es durch ein 2-KanalModul das NXH80B120MNQ0 das einen 1200-V 80-mΩ-SiC-MOSFET mit 1200-V 20-A-SiC-Diode enthält eg On Semiconductor www onsemi com contact emea@onsemi com Tel 0039 0292393124 62-mm-CoolSiCModul Infineon Technologies hat die CoolSiC-MOSFET-Modul-Serie mit 1200 V Sperrspannung um ein weiteres Gehäuse im Industriestandard erweitert So ist das bewährte 62-mmModul als Halbbrücke aufgebaut und basiert auf der Trench-Chiptechnologie Damit eröffnet sich für SiC der Einsatz im mittleren Leistungsbereich ab 250 kW Mit Bodenplatte und Schraubanschlüssen ausgestattet zeichnet sich das Gehäuse durch ein sehr robustes Design aus Die Module zeichnen sich durch eine hohe thermische Zyklenfestigkeit und eine Dauerbetriebstemperatur von +150 °Caus eg Infineon Technologies www infineon com support@infineon com Tel 0800 951951951 100-VHalbbrückenMOSFET-Treiber Mit den Bauteilen HIP221 und HIP2210 bringt Renesas zwei neue 100-V-Halbbrücken-MOSFET-Treiber auf den Markt Beim HIP2211 handelt es sich um ein pinkompatibles Upgrade der nächsten Generation des Brückentreibers ISL2111 von Renesas Der neue HIP2210 bietet einen Tri-Level-PWM-Eingang und vereinfacht damit das Design von Stromversorgungen und Motorantrieben Ein umfassender Unterspannungsschutz zusammen mit programmierbarem Anti-Shoot-Through-Schutz des HIP2210 gewährleisten dass die angesteuerten MOSFETs nicht durch die Stromversorgung oder andere externe Fehlerbedingungen beschädigt werden Beide Treiber verfügen über leistungsstarke 3-A-Sourceund 4-A-Sink-Treiber mit einer Laufzeitverzögerung von 15 ns und einer Laufzeitanpassung von 2 ns eg Renesas Electronics www renesas com info eu@renesas com Tel 0211 65030 Super-JunctionMOSFETs mit 650 V Toshiba Electronics erweitert sein Produktspektrum an Super-Junction-MOSFETs um acht neue n-Kanal-Leistungs-MOSFETs Für 650 Vausgelegt bieten TK110N65Z TK110A65Z TK125V65Z TK155A65Z TK170V65Z TK190A65Z und TK210V65Z durchweg hohe Leistungsparameter Im Vergleich zur Vorgängergeneration bieten die neuen Super-Junction-MOSFETs um 40 Prozent geringere FoM-Werte in Sachen Drain-SourceDurchlasswiderstand × Gate-Drain-Ladung Dadurch können sie den Wirkungsgrad von Schaltnetzteilen um etwa 0 36 Prozent steigern und die Schaltverluste im Vergleich zur vorherigen Generation erheblich reduzieren eg Toshiba Electronics Europe www toshiba semicon com solutionmarketing@toshibacomponents com Tel 0211 5296-0 Smartes 600-V-Leistungshalbleitermodul Unter der Bezeichnung TPD4162F hat Toshiba Electronics Europe ein High-Voltage-Leistungsbauteil mit einer Nennversorgungsspannung von 600 Vauf den Markt gebracht Damit lässt sich das Modul für alle Anwendungen mit Eingangsspannungen von 200 bis 220 V AC