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Buyers Guide 2021 www markttechnik de 11 nutzen Integraler Bestandteil des Moduls sind eine PWM-Schaltung ein 3-Phasen-Decoder ein High-Side-Treiber mit Pegelverschiebung und ein Low-Side-Treiber mit integrierten IGBTs und Fast-Recovery-Dioden Mit dem TPD4162F lassen sich bürstenlose Gleichstrommotoren in Geräten wie Klimaanlagen Luftreinigern oder Pumpen direkt ansteuern eg Toshiba Electronics Europe www toshiba semicon com solutionmarketing@toshibacomponents com Tel 0211 5296-0 LinkSwitch-IC mit AutomotiveZulassung Power Integrations hat vor Kurzem eine AEC-Q100-qualifizierte Version seines Hochspannungs-Schalter-ICs LinkSwitch-TN2 vorgestellt Der neue LinkSwitch-TN2-IC LNK3206GQ mit integriertem 750-V-MOSFET bietet eine einfache und zuverlässige Stromversorgungslösung für Subsysteme von Elektrofahrzeugen die am Hochspannungsbus betrieben werden Auf der Eingangsseite arbeitet der LinkSwitch-TN2-IC mit Eingangsspannungen von 60 bis 550 V DC und eignet sich damit sehr gut für Spannungswandleranwendungen in Elektrofahrzeugen mit 400-V-Bordnetz Es bietet eine Regelungsgenauigkeit von besser als ±5 Prozent über alle Eingangsspannungs-Last-Temperaturund Bauteiltoleranzen hinweg eg Power Integrations www power com customer service@power com Tel 089 29386439960 Drei neue LeistungsMOSFETs MaxPower Vertrieb Finepower stellt mit MXP401F1P0BGL MXP60F2P0EGC und MXP60F2P2FGC drei neue Leistungs-MOSFETs in Trench-Technik vor Ihre niedrigen Durchlassund Schaltverluste ermöglichen in Kombination mit der Möglichkeit der doppelseitigen Kühlung das Design sehr effizienter und kompakter Schaltungen Ausgeliefert werden die Leistungs-MOSFETs in kompakten MaxPAK5x6-Gehäusen MXP401F1P0BGL ist für Betriebsspannungen bis 40 Vausgelegt Der Durchlasswiderstand beträgt höchstens 1 mΩ Ausgelegt für Dauerströme von bis zu 299 Averkraftet das MOSFET kurzzeitige Stromspitzen bis 1196 A Seine Verlustleistung kann bis zu 190 Wbetragen Der MXP60F2P0EGC unterscheidet sich durch eine Betriebsspannung von 60 Vund einen Durchgangswiderstand von 2 mΩ Bei diesem Bauteil beträgt der maximale Dauerstrom 218 Aeg Finepower www finepower com info@finepower com Tel 089 3090758-0 Zielfokus auf HauptantriebsWechselrichter Für Automobil-Antriebsstränge einschließlich des Hauptantriebs-Wechselrichters sowie für Stromversorgungen in Industrieanlagen sind die SiC-MOSFETs der vierten Generation von Rohm Semiconductor optimiert Rohms jüngste Generation von SiC-MOSFETs zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mit hoher Schaltgeschwindigkeit aus Dies trägt zu einer stärkeren Miniaturisierung und einer geringen Stromaufnahme in einer Vielzahl von Anwendungen bei Im Vergleich zu herkömmlichen Produkten konnte Rohm bei seinen SiC-MOSFETs der vierten Generation den Einschaltwiderstand pro Flächeneinheit um 40 Prozent reduzieren eg Rohm Semiconductor www rohm de sales@rohm de Tel 02154 9210 AOIfähige Dioden und Transistoren Nexperia hat vor Kurzem das marktweit wohl am breitesten gefächerte Portfolio von AEC-Q101-qualifizierten Dioden und Transistoren in platzsparenden und AOIgeeigneten DFN-Gehäusen auf den Markt gebracht Zum Produktangebot gehören neben Schalt-Schottky-Zenerund Schutzdioden auch Bipolar-Junction-Transistoren nund p-KanalMOSFETs sowie Digitaltransistoren und LEDTreiber Ihre DFN-Gehäuse kommen mit einem minimalen Flächenbedarf von 0 6 mm2 im Vergleich zu aktuellen SOT23-Bauteilen aus Die Platzersparnis beträgt bis zu 90 Prozent Zudem ermöglicht die DFN-Gehäusetechnologie von Nexperia Sperrschichttemperaturen von bis zu 175 °Ceg Nexperia www nexperia com info@nexperia com Tel 040 307080 Super-JunctionMOSFETs Als erster chinesischer Hersteller hat Wayon Vertrieb TRS-Star eine neue SuperJunction-MOSFET-Serie mit Sperrspannungen bis zu 1200 Vauf den Markt gebracht Erhältlich sind die neuen Bausteine in verschiedenen THTund SMD-Gehäusen Für besonders platzkritische Anwendungen stehen einige vollisolierte TO-220-Fullpack-Gehäuse mit reduzierter Gehäusehöhe zur Schrauboder Klemmmontage zur Verfügung Die Super-Junction-MOSFETs sind durchschlagsfest und zeichnen sich durch einen sehr niedrigen Figureof-Merit-Wert aus Zu den typischen Anwendungsbereichen der Super-Junction-MOSFETs von Wayon zählen unter anderem Ladegeräte und Adapter sowie PCs und Fernsehgeräte eg TRS-Star www trsstar com info@trsstar com Tel 07249 95222-0