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Day 4 Thursday November 12 2020 The Official Daily 3 Editorial Ein wichtiger Trend auf der electronica Engelbert Hopf Chefreporter Markt&Technik Wenn sich ein Thema auf der electronica virtual durch Vorträge Diskussionsforen und die Präsentationen der Aussteller in der Halbleiter-Halle 3 zieht dann ist es das Thema Wide Bandgap! Der Treiber dafür ist zumindest im Fall von SiC ganz eindeutig Automotive Mit dem entstehenden Boom im Bereich Hybridund Elektrofahrzeuge gewinnt das Batteriemanagement der dort eingesetzten Batteriepacks eine solch große Bedeutung dass die Leistungshalbleiter-Spezialisten dafür sogar ein Produkt mit einer neuen Sperrspannung einführen Ab nächstem Jahr wird es SiC-MOSFETs mit 750 V Sperrspannung geben Während also im Bereich SiC das Angebot an SiC-MOSFETs von 650 über 750 900 1200 und 1700 Vin Zukunft in vielleicht noch höhere Sperrspannungsbereiche ausgebaut wird präsentieren die Leistungshalbleiterspezialisten unter anderem auf der electronica virtual die ersten GaN-FETs mit integrierten Silizium-Treibern Für die Entwickler bedeutet das easy to use Es bedarf keiner aufwändigen Abstimmung mehr zwischen diskretem GaN-FET und einem Treiber-IC der Wide-Bandgap-Baustein lässt sich einfach wie ein herkömmlicher MOSFET eindesignen Dass in Zukunft in Automotive-Leistungsanwendungen nicht nur SiC verbaut wird kristallisiert sich auch immer klarer heraus Jüngstes Beispiel dafür ist die Vorstellung eines hochintegrierten GaN-FETs mit Treiber und Schutz-Features von Texas Instruments der explizit für den Automotive-Einsatz konzipiert ist und dort seine Vorteile im Hinblick auf Schalten im MHzBereich Gewichtsund Bauteilreduzierung ausspielen soll auch hier wieder im Bereich des Power Managements Man darf also gespannt sein welches Momentum Wide Bandgap bis zur nächsten electronica 2022 entwickeln wird Ihr Engelbert Hopf An important trend at the electronica If there is one subject at electronica virtual which runs through all the lectures discussion forums and exhibitor presentations in Semiconductor Hall 3 then it is the subject of wide bandgap! The catalyst for this at least in the case of SiC is clearly the automotive market With the burgeoning boom in hybrid and electric vehicles the battery management of battery packs applied there is becoming so important that several power semiconductor specialists are even announcing products with a new reverse voltage for this purpose Starting next year SiC MOSFETs with 750 Vinverse voltage will be on the market So while SiC MOSFETs in the 650 Vto 750 V 900 V 1200 Vand 1700 Vrange are expected to be expanded in the future to include perhaps even higher inverse voltage ranges some power semiconductor specialists have already presented their first GaN FETs with integrated silicon drivers at electronica virtual For developers this means above all one thing ease of use There is no longer any need for complex coordination between discrete GaN FETs and a driver IC the widebandgap device can be designedin just like a conventional MOSFET It is becoming increasingly clear that future automotive power applications will not rely on SiC alone The most recent example of this is the presentation of a highly integrated GaN FET with driver and safety features from Texas Instruments which was explicitly designed for automotive applications and is expected to demonstrate its advantages in terms of switching in the MHz range weight and component reduction again in the area of power management It will be interesting to observe the momentum with which wide bandgap develops by the next electronica in 2022 Sincerely Engelbert Hopf