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Trend Guide Leistungselektronik 2020 www markttechnik de 9 Ausgerollt wird das MasterGaN-Portfolio eine ganze Reihe von Produkten umfassen die je nach Produktversion unterschiedlich große GaN-Transistoren beinhalten werden jedoch alle GQFN-Gehäusen angeboten werde und damit pinkompatibel zu MasterGaN1 sein werden Letztlich so Gherdovich wird die MasterGaN-Plattform vier weitere Applikationsklassen umfassen die auf Applikationen mit Ausgangsleistungen bis 45 W 65 W 100 Wund 200 Wzielen Der Großteil davon wird bis Mitte nächsten Jahres zur Verfügung stehen Wie der ST-Manager auf Nachfrage bestätigt ist jedoch nicht beabsichtigt MasterGaN-Produkte mit AEC-Q100-Zertifizierung anzubieten »Wir arbeiten an GaN-Produkten für den Automotive-Bereich dabei handelt es sich allerdings um andere Produktgruppen « Welche Bedeutung der sich etablierende GaN-Weltmarkt für Halbleiterhersteller wie ST hat lässt sich an einigen Zahlen ablesen So liegt der TAM Total Available Market nach Einschätzung der Marktforscher bis 2025 bei weltweit 550 Millionen Bausteinen Umsatztechnisch würde das in etwa 800 Millionen Dollar bedeuten Bis 2028 so Analysten dürfte sich der TAM bezüglich der Bauteile auf 1 4 Milliarden Einheiten verdoppeln Das entspräche dann einem GaN-Weltmarkt mit einem Volumen von 1 5 Milliarden Dollar eg n »Die auf dem Markt bislang einzigartige MasterGaN-Plattform stützt sich auf unsere bewährte Expertise und unsere Fähigkeiten im Power Design« erläutert Matteo Lo Presti Executive Vice President und General Manager der Analog Sub-Group von STMicroelectronics »Die Kombination des für hohe Spannungen geeigneten Smart-Power-BCD-Prozesses mit der GaN-Technologie beschleunigt die Implementierung platzsparender energieeffizienter Produkte die nicht zuletzt auch umweltfreundlicher sind « Basis der nun auf den Markt kommenden Systemin-Packages der MasterGaN1-Produkte die auf Applikationen bis 400 W Ausgangsleistung abzielen sind die 600-V-Gatetreiber der STDrive-Reihe sowie HEMTs High Electron Mobility Transistors auf GaN-Basis Konkret handelt es sich dabei um zwei selbstsperrende Transistoren mit exakt übereinstimmenden Timing-Parametern einem Grenzstrom von 10 Aund einem Einschaltwiderstand RDS on von 150 mΩ Ihre Logikeingänge sind kompatibel zu Signalen von 3 3 bis 15 V Zu den eingebauten Schutzfunktionen gehören unter anderem eine Highund Lowseitige Unterspannungssperre eine Verriegelungsfunktion Interlock ein spezieller Shutdown Pin und ein Überhitzungsschutz Als Gehäuse dient den MasterGaN1-Produkten das 9 mm × 9 mm große GQFN-Gehäuse Mit seiner über 2 mm langen Kriechstrecke zwischen den Hochspannungsund NiederspannungsPads eignet es sich für Anwendungen mit hohen Spannungen Bei Auftragsmengen ab 1000 Bausteinen liegt der Nettostückpreis der MasterGaN1-Produkte bei 7 US-Dollar Gegenüber siliziumbasierten Lösungen erlauben die Produkte der MasterGaN-Plattform die Realisierung um bis zu 80 Prozent kleinerer und bis zu 70 Prozent leichterer Ladegeräte und Netzteile Gleichzeitig lässt sich die Ladezeit um den Faktor 3 verkürzen Bilder STMicroelectronics Als Starthilfe für Stromversorgungs-Projekte die mit MasterGaN1 realisiert werden sollen steht Interessenten dieses Entwicklungs-Board zur Verfügung Gabriele Gherdovich STMicreoelectronics MasterGaN1 wendet sich an Stromversorgungs-Applikationen bis 400 W Bis zur Mitte nächsten Jahres werden wir weitere Produkte der MasterGaN-Plattform anbieten die Applikationen im Leistungsbereich von 45 bis 200 Wadressieren