Der Blätterkatalog benötigt Javascript.
Bitte aktivieren Sie Javascript in Ihren Browser-Einstellungen.
The Blätterkatalog requires Javascript.
Please activate Javascript in your browser settings.
8 Trend Guide Leistungselektronik 2020 www markttechnik de ein GaN seine überlegene Leistung unter Beweis stellen kann Obwohl die elektrischen Eigenschaften der beiden Produkte Durchbruchspannung und Einschaltwiderstand sehr ähnlich sind ist die GaN-Chipfläche um 75 Prozent kleiner als beim Super-ÜbergangMOSFET mit sowohl 70 Prozent geringerer Gate-Ladung als auch 10 Prozent geringerer Eingangskapazität Ciss ST freut sich darauf weiter mit großem Engagement und richtungsweisenden Innovationen auch in puncto die Langlebigkeitsanforderungen und Erwartungen der Kunden im Leistungshalbleiterbereich erfüllen zu können Dies wird mit einem breiten Produktspektrum geschehen zu dem auch der kontinuierliche Ausbau der SiC-& GaN-Roadmap gehört Um die Kunden bei der Migration zu neuen Technologien zu unterstützen hat ST Anwendungslabors mit engagierten Teams in den drei Hauptregionen EMEA Amerika und Asien eingerichtet eg n Bild 7 2SPAK-Gehäuse für GaN HEMT Grafik STMicroelectronics Bild 8 GaN-Benchmark in LLC-Schaltungen GaN schrumpft Ladegeräte um 80 Prozent und macht sie um 70 Prozent leichter Einfaches Entwickeln mit integriertem Silizium-Treiber Smartphones in weniger als 10 Minuten auf 50 Prozent laden das ermöglicht STMicroelectronics mit der MasterGaN-Plattform Schlüsselkunden werden erste Ladegeräte bereits zum diesjährigen Weihnachtsgeschäft auf den Markt bringen Zudem zielt MasterGaN1 auf Anwendungen mit Ausgangsleistungen bis 400 Wab Easy to use sollten Wide-Bandgap-Materialien sein der Unterschied bei ihrem Einsatz gegenüber den altbekannten Silizium-Lösungen sollte am besten überhaupt nicht auffallen Dieses Verlangen der Anwender das in der Vergangenheit schon die Frage SiC-JFET oder SiC-MOSFET zu Gunsten des MOSFET entschied dominiert auch das Thema GaN ein hervorragendes Material dessen Vorteile man gerne nutzen würde wenn es nur etwas einfacher wäre diesen neuen Leistungshalbleiter einzusetzen Mit MasterGaN hat STMicroelectronics nun die weltweit erste Plattform vorgestellt die einen auf Silizium-Technologie basierenden Halbbrückentreiber mit einem GalliumnitridTransistorenpaar kombiniert Eine Kombination welche die Realisierung einer neuen Generation kompakter effizienter Ladegeräte und Netzteile für Konsumgüter und Industrie-Anwendungen bis 400 Wbeschleunigen wird wie Gabriele Gherdovich Segment Marketing Manager Industrial & Power Conversion Division AMS bei STMicroelectronics versichert Auswirken werden sich diese Verbesserungen fürs Erste bei sehr schnellen Smartphone-Ladegeräten kabellosen Ladegeräten und USBPD-Kompaktnetzteilen für PCs und GamingProdukte aber auch in gewerblichen Applikationen wie etwa PV-Speichersystemen USVs High-End-OLED-Fernsehgeräten und Server Clouds Das sind Applikationen die beim Einsatz von GaN bisher von diskreten Leistungstransistoren und Treiber-ICs geprägt sind Mit der Einführung von Master-GaN müssen Entwickler nun nicht mehr erst langwierig herausfinden wie sich diskrete Leistungstransistoren und Treiber-ICs optimal kombinieren lassen MasterGaN versichert Gherdovich wird in Zukunft nicht nur eine schnellere Markteinführung solcher Produkte ermöglichen es reduziert auch den Platzbedarf auf der Platine vereinfacht die Montage und steigert die Zuverlässigkeit des jeweiligen Schaltungsentwurfs da weniger Bauelemente benötigt werden Durch den Einsatz der MasterGaN-Technologie werden sich Ladegeräte und Netzteile nach Darstellung von ST in Zukunft um bis zu 80 Prozent kompakter realisieren lassen als das bisher mit Lösungen auf Basis von Silizium möglich war Gleichzeitig wird sich auch das Gewicht der Produkte um bis zu 70 Prozent reduzieren lassen Fokus