Der Blätterkatalog benötigt Javascript.
Bitte aktivieren Sie Javascript in Ihren Browser-Einstellungen.
The Blätterkatalog requires Javascript.
Please activate Javascript in your browser settings.
22 electronica-Kompass 2020 www markttechnik de Bauelemente & Module Micron Samsung und SK Hynix DRAMs skalieren unverdrossen weiter Die DRAMs sind noch lange nicht an der Grenze ihrer Skalierbarkeit angelangt Ihre Speicherkapazität und ihre Performance erhöhen sich weiter rasant Die Speicher-ICs die im vergangenen Jahr einen herben Preisverfall erleben mussten werden sich wieder zum treibenden Faktor des Halbleitermarktes entwickeln Davon zeigte sich jüngst Jim Feldhan President Semico Research überzeugt Den DRAMs prognostiziert er in diesem Jahr ein Wachstum um 8 Prozent Auf der technischen Seite skalieren die DRAM-Hersteller munter weiter Schon vor einem Jahr sind die führenden Hersteller Samsung SK Hynix und Micron zur Fertigung auf der 17-nm-Ebene übergegangen und entwickelten weitere Shrinks hin zu 16-nmund 15-nm-Ebenen Bis vor Kurzem schien es so als ob die Hersteller von DRAMs für die weitere Verkleinerung der DRAM-Speicherzellen noch nicht auf die Lithografie der nächsten Generation angewiesen wären also der Belichtung mithilfe von EUV-Maschinen die Licht der Wellenlänge 13 5 nm nutzen Sie wollten den Einsatz von EUV bis jetzt vermeiden weil dieser Prozessschritt sehr teuer ist Schon der Kauf eines solchen Systems dürfte mit bis zu 150 Mio Dollar zu Buche schlagen Gerade aber hat Samsung verkündet auf der zweiten Fertigungslinie ihrer Fab in Pyeongtaek die Stückzahlfertigung der 16-Gbit-LPDDR5-DRAMs für den Einsatz in tragbaren Geräten aufgenommen zu haben Dort fertigt Samsung die DRAMs nun zum ersten Mal mithilfe von EUV-Lithografiegeräten weil sie noch kleinere Strukturen abbilden können als das mit den bisherigen Deep-UV-Geräten 193 nm möglich war Jedenfalls können sie das ohne auf Tricks wie Multi-Patterning zurückgreifen zu müssen die ebenfalls sehr teuer sind und die Freiheitsgrade beim Entwurf der Schaltungen beschränken Deshalb ist es laut Samsung nun möglich DRAMs zu fertigen die noch höhere Speicherkapazitäten und noch kürzere Zugriffzeiten erreichen als die bisherigen Generationen Diese 10-nm-DRAMs 1z-Prozess sollen in den Smartphones der kommenden Generation Einsatz finden und ermöglichen es die Möglichkeiten von 5G und KI voll auszuschöpfen Jungbae Lee Executive Vice President DRAM Product & Technology von Samsung Electronics ist überzeugt dass die auf dem 1z-Prozess basierende Prozesstechnik den Weg für die weitere Skalierung der DRAMs frei macht »Die wesentliche Hürde auf dem Weg zu den nächsten DRAM-Generationen ist jetzt genommen « Die zweite Fertigungslinie in der Fab in Pyeongtaek ist mit einer Fläche von 128 900 m2 was nicht weniger als 16 Fußballfeldern entspricht die größte IC-Produktionslinie der Welt Hier fertigt Samsung zunächst die DRAMs der neusten Generation sowie künftig auch die neusten 3D-NAND-Flash-Generationen Diese Linie steht zudem den Foundry-Aktivitäten von Samsung offen Damit will sich Samsung eine führende Rolle in der IndustrieAuf der Fertigungslinie 2 in der neuen Fab in Pyeongtaek fertigt Samsung auf einer Fläche von 128 900 m2 was nicht weniger als 16 Fußballfeldern entspricht zunächst die neusten DRAM-Generationen und später auch die neusten NAND-Flash-Generationen Bild Samsung