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electronica-Kompass 2020 www markttechnik de 23 reikotronic_MT03_Neu jpg S 1 Format 44 79 x 20 07 mm 19 Dec 2017 11 01 11 Anzeige 4 0-Ära sichern Mit 6400 Mbit s sind die neuen 16-Gbit-LPDDR5-DRAMs 16 Prozent schneller als die 12-Gbit-LPDDR5 mit 5500 Mbit s die heute in den meisten Smartphones der höchsten Leistungsklasse arbeiten Wenn die 16-Gbit-Dies in einem Package mit einer Kapazität von 16 GB integriert werden können sie in einer Sekunde die Datenmenge von zehn 50-GB-Full-HD-Filmen übertragen insgesamt 51 2 GB Weil die LPDDR5-Gehäuse die die 16-Gbit-Dies aufnehmen um 30 Prozent dünner als ihre Vorgänger sind können die Systemhersteller mehr Funktionen in ihre 5Gund Multi-Kamera-Smartphones sowie in ihre faltbaren Geräte bringen und sie flacher auslegen Um ein 16-GB-Gehäuse zu realisieren sind nur acht 16-Gbit-Dies erforderlich Bisher waren dazu zwölf Dies achtmal 12 Gbit plus viermal 8 Gbit notwendig Doch Samsung zielt mit den neuen DRAMs nicht nur auf den Einsatz in Konsumgütern In absehbarer Zeit werde es auch Versionen geben die über den erweiterten Temperaturbereich arbeiten und die für den Einsatz in Kraftfahrzeugen zertifiziert sein werden Vor Kurzem hat SK Hynix die Stückzahlfertigung ihrer High-Speed-DRAMs HBM2E aufgenommen zehn Monate nachdem SK Hynix die Entwicklung dieses Produktes abgeschlossen hatte Mit 1024 I Os ausgestattet die jeweils 3 6 Gbit s erreichen kommt der Speicher insgesamt auf eine Übertragungsrate von 460 GB s Damit kann er 124 Full-HD-Filme zu je 3 7 GB übertragen In dem Gehäuse befinden sich acht 16-Gbit-Dies die über Through-Silicon-Via-Technik miteinander verbunden sind Damit eignet sich der HBM2E laut SK Hynix gut für den Einsatz in KI-Deep-Learning-Beschleunigern und High-Performance Computing »Damit werden wir uns eine gute Position im Markt für Industrie 4 0 verschaffen« sagt Jonghoon Oh Executive Vice President und Chief Marketing Officer von SK Hynix Bereits im Oktober 2019 hatte SK Hynix verkündet den 16-Gbit-DDR4-DRAM fertig entwickelt zu haben Die Produktivität dieser im 1z-Prozess hergestellten DRAMs habe sich gegenüber dem vorhergegangenen 1y-Prozess um 27 Prozent verbessert die Leistungsaufnahme reduziert sich um 40 Prozent Der neue DRAM erreicht Datenübertragungsraten von 3200 Mbit s Unter anderem hat SK Hynix ein neues Material in den Fertigungsprozess integriert Damit konnte die Kapazität der Kondensatoren in den Speicherzellen erhöht werden Außerdem hat sich auch das Design der Zellen verändert Den 1z-Prozess verwendet SK Hynix um LPDDR5-DRAMs HBM3-Module und die nächste Generation von mobilen DRAMs zu fertigen Einen neuen Rekord hat Micron gerade verkündet Der neue GDDDR6X-Grafik-Speicher erreicht eine Datenübertragungsrate von 1 TB s Bei der Entwicklung des neuen Speichers hat Micron eng mit Nvidia zusammengearbeitet um die DRAMs auf die GPUs von Typ Geforce-RTX und GeForce-RTX-3800 zu optimieren »Wir haben zusammen mit Micron Gegenüber den 20-nm-DRAMs lassen sich auf der 10-nm-Ebene um 30 Prozent mehr DRAMs auf dem Wafer unterbringen über 1000 Dies pro Wafer Bild Samsung Samsung hat ein neues Material entwickelt um die dielektrische Schicht auf dem Kondensator sehr dünn und uniform bis auf wenige Angstrom abscheiden zu können ein wesentlicher Schritt um die 10-nm-DRAMs wirtschaftlich und zuverlässig in hohen Stückzahlen fertigen zu können Mit 1024 I Os ausgestattet die jeweils 3 6 Gbit s erreichen kommen die neuen DRAMs von SK Hynix auf eine Übertragungsrate von 460 GB s Bild SK Hynix das Memory GPU-Interface neue erfunden und damit eine neue Messlatte für High-Performanceund High-Resolution Gaming gesetzt« sagt Jeff Fisher Senior Vice President der GP Business Unit von Nvidia Ein Grund für die hohe Leistungsfähigkeit und die Bandbreite der neuen GDDR6X-DRAMs Micron hat als erster Speicherhersteller das Four-Level-Pulse-Amplitude-Modulationsverfahren angewendet Damit konnte die I O-Datenrate verdoppelt werden Auf Basis der PAM4-Technik werden vier statt der bisherigen zwei Spannungspegel genutzt um die Daten codiert als 0 und 1 zu übertragen So lassen sich pro Zeiteinheit nicht wie bisher nur 1 bit sondern 2 bit übertragen Micron ist besonders stolz darauf dass diese GDDR6XDRAMs mit PAM4-Übetragungstechnik in Stückzahlen gefertigt werden kann Außerdem haben die Ingenieure von Micron viel Wert darauf gelegt den Kunden den Einsatz der Speicher möglichst einfach zu machen Ein großer Vorteil Pro Übertragungskanal verdoppelt sich die Datenrate ohne dass dazu die Taktfrequenz verdoppelt werden müsste Die neuen GDDDR6-DRAMs stehen ab sofort mit Speicherkapazitäten von 8 Gbit zur Verfügung Ab 2021 wird Micron auch 16-GbitGDDDR6-DRAMs liefern ha n