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www markttechnik de 39 2025 10 Interview der Woche Bosch setzt bei Wide-Bandgap bislang auf SiC forscht aber im Rahmen von YESvGaN an Vertical GaN »Aktuell liegt unser Fokus ganz klar auf SiC« Vom reinen Fertiger für den Inhouse-Bedarf hat sich Bosch im Leistungs halbleiter-Bereich zu einem Anbieter von MOSFETs und SiC-MOSFETs entwickelt die entweder direkt oder über ein wachsendes Distributoren-Netzwerk an Automotive-OEMsund Tier1 2-Kunden geliefert werden Welche Pläne Bosch für die Zukunft verfolgt erläutert Ralf Bornefeld Senior Vice President und General Manager der Business Unit Power Semi conductors and Modules Markt Technik Herr Bornefeld seit einiger Zeit findet man Bosch als Leistungshalbleiter-Spezialisten auf Messen wie der PCIM electronica oder auch der APEC Das war früher nicht so warum dieser Drang in die Öffentlichkeit? Ralf Bornefeld Wir wollen am Markt sichtbarer werden Das hat zum einen mit dem Wettbewerb um qualifizierte Mitarbeiter zu tun zum anderen aber auch damit dass wir mittlerweile die Strate gie verfolgen unsere Leistungshalbleiter nicht nur in unsere Systeme einzubauen sondern auch OEMs und Tier1 2-Anbieter zu beliefern Folglich muss Bosch am Markt präsenter sein und dieser Schritt hat sich bislang auch durchaus bezahlt gemacht Bosch ist ja nun schon eine ganze Weile im Leistungshalbleiterbereich aktiv speziell mit MOSFETs Stimmt In der Vergangenheit haben wir als Automotive-Spezialist unseren MOSFET-Bedarf über Infineon Technologies gedeckt Der Bedarf stieg und wir wollten die Abhängigkeit von einem Lieferanten minimieren Darum haben wir 2009 in Reutlingen angefangen selbst MOSFETs auf Basis einer Lizenz von Infineon zu produzieren Was uns von anderen Anbietern unterschieden hat war die Tatsache dass wir uns von Beginn an und ausschließlich auf die Anforderungen an MOSFETs im Automobilbereich konzentriert haben Bosch hat sich auch sehr früh mit dem Thema SiC beschäftigt Wann haben Sie diese Aktivitäten gestartet und wann Ralf Bornefeld Bosch „ Wir werden unser SiC-Programm mit unserer 3 Generation hinsichtlich der Sperr spannung nach oben erweitern und wir konzentrieren uns als Koordinator des euro päischen YESvGaN-Projekts auf die Erforschung und Entwicklung von Vertical GaN für Hochvoltanwendungen “ EXKLU SIV INTERV IEW