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13 2024 www markttechnik de EMBEDDED WORLD 2024 Seite 23 INTERVIEW DER WOCHE mit Dominik Reßing congatec Seite 24 MANAGEMENT KARRIERE KI als Headhunter Seite 43 Standardisierung Bei fast allen Anbietern ist ein fester Bestandteil des Weges dahin der Einsatz von künstlicher Intelligenz und Machine-Learning in den Embedded-Systemen Von spezieller Hardware unterstützt sollen diese Technologien wesentlich dazu beitragen vermeint-Während die globale Ökonomie schwächelt und viele Wirtschaftszweige spürbar unter den internationalen Krisen und der Inflation leiden geht der Aufschwung in der Embedded-Branche nahezu ungebremst weiter Bester Beleg dafür ist die embedded world Die Messe zieht Aussteller und Besucher aus aller Welt an und gibt als Leistungsschau der Embedded-Branche den Ton für die nächsten Monate vor Der ist geprägt von zahlreichen Innovationen und Neuheiten die Antworten auf Herausforderungen wie die zunehmende Vernetzung im IoT und das Zusammenwachsen von IT und OT im IIoT geben Im Fokus stehen dabei Punkte wie Leistungssteigerung Energieeffizienz Miniaturisierung und Von Software-Tools bis zu High-End-KI-Chips Die Neuheiten auf der embedded world Forscher haben erstmals gezeigt dass sich Licht in Systemen die mit ihrer Umgebung wechselwirken verlustfrei ausbreiten kann Für ihre Experimente nutzten die Wissenschaftler lasergeschriebene Wellenleiter wie hier im Bild – dabei handelt es sich um optische Strukturen die mit einem Laserstrahl in ein Material geschrieben werden Seite 19 5 4 2024 ISSN 0344-8843 € 6 – Bi ld Jul ia Tet zk e Un iv er si tä t Ro st oc k Eine wahre Zeitenwende im Bereich Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter könnte Infineon Technologies einleiten nachdem Pläne zur Markteinführung eines 400-V-SiC-MOSFET bekannt wurden Infineon bricht so mit einem seit knapp eineinhalb Jahrzehnten vorgetragenen Mantra der Leistungshalbleiterbranche Es mache keinen Sinn SiC-Leistungshalbleiter mit Sperrspannungen unter 650 Vanzubieten das natürliche Habitat der SiC-Leistungshalbleiter sei im Bereich hoher und höchster Spannungen anzusiedeln Im Sperrspannungsbereich unter 650 Vhätten dagegen klassische Silizium-Leistungshalbleiter und GaN-Bauteile zum Teil technische aber vor allem preisliche Vorteile Nun also die Kehrtwende im Laufe derer man sich nicht wundern würde kämen in Zukunft auch noch SiC-MOSFETs mit 200 V Sperrspannung auf den Markt Infineon spricht im Fall seines diskreten 400-V-CoolSiC-MOSFET der in verschiedenen Gehäuseversionen auf den Markt kommen wird von »coming soon« In der Branche das zeigt eine aktuelle Umfrage der Markt Technik geht man inzwischen davon aus dass Infineon das neue Bauteil im Rahmen seines Wide-Bandgap-Developer-Forums 2024 am 16 April einem breiteren Publikum vorstellt Nähere Angaben zu technischen Einzelheiten wollte Infineon auch auf Anfrage nicht machen Infineon kündigt 400-V-Siliziumkarbid-MOSFET an Angriff auf Siund GaN-Domäne Seite 3 Seite 3