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Für die Fertigung von MEMS Komponenten für die Biound Medizintechnik sowie HighDensity-PCBs und Advanced Packaging 3D-Packaging hat EV Group eine vollkommen neue maskenlose Lithografietechnik Lithoscale entwickelt Das erste Lithoscale-Belichtungssystem hat die EV Group jetzt vorgestellt Damit ist es jetzt erstmals möglich hochauflösende Strukturierung mit schnellem Durchsatz und hoher Produktionsausbeute zu verbinden also in hohen Volumen zu fertigen Gleichzeitig entfallen die mit Fotomasken verbundenen OverheadKosten die zum Beispiel durch die benötigte Infrastruktur für Management und Instandhaltung der Masken entstehen Weil nun die Fertigung von Prototypen und die 9 mm messenden und nur 1 mm hohen GQFN-Gehäuse Erste LeadKunden werden noch vorm Weihnachtsgeschäft erste auf MasterGaN basierende Produkte auf den Markt bringen Erste GaN-Plattform mit integriertem Treiber Smartphones in weniger als 10 Minuten laden Maskenlose Belichtungstechnik für die Volumenproduktion Durchbruch bei der digitalen Lithografie SCHWERPUNKT Automotive Seite 23 INTERVIEW DER WOCHE mit Dr Sailesh Chittipeddi Renesas Electronics Seite 14 TOP-FOKUS MCUs CPUs DSPs Seite 34 Stückzahlfertigung auf ein und derselben Maschine geschehen kann gibt es keinen Technologiebruch zwischen beiden Stadien Anwender können alle kommerziell erhältlichen Resists weiter nutzen Mehr dazu auf Seite 20 in dieser Ausgabe ha n Die Demonstrationsanlage am Campus Straubing für Biotechnologie und Nachhaltigkeit der TU München ist die erste in Europa die Oxymethylenether als Alternative zu Dieselkraftstoff produzieren kann Sie besteht aus einem Reaktor zur Synthese einem Destillationsmodul sowie einer Membraneinheit des Projektpartners DBI Gasund Umwelttechnik Seite 50 Seite 3 41 2020 www markttechnik de 9 10 2020 ISSN 0344-8843 € 6 Bild Jan Winter TUM Wer bisher die Vorteile von GaN-Leistungshalbleitern nutzen wollte der musste lernen wie sich die besonderen Eigenschaften von GaN mit den am Markt verfügbaren Treiber-ICs in optimaler Weise kombinieren lassen Das setzte eine Lernkurve voraus die schnellen Markterfolgen mit GaNLeistungshalbleitern im Weg stand STMicroelectronics löst nun dieses Problem indem es mit MasterGaN die weltweit erste Produktplattform vorstellt die einen auf Silizium basierenden Halbbrückentreiber mit einem GaN-Transistorenpaar kombiniert und damit unter anderem die bisher in dieser Kombination auftretenden parasitären Effekte eliminiert Und das in einem 9 mm × Die ecommerce Plattform Ihres Broadline Distributors www rutronik24 com 28 5 MILLIARDEN BAUTEILE SOFORT VERSANDBEREIT ! Rutronik_MT43 pdf S 1 Format 45 00 x 45 00 mm 08 Oct 2018 10 40 55 Digi-Key_9-2_Mill_MT29_DE_Snipe pdf S 1 Format 60 00 x 50 00 mm 03 Jul 2020 10 53 24