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16 2025 www markttechnik de 11 Aktuell ECAC zertifiziert Sicherheitsscanner von Rohde Schwarz Erster Walk-Through-Scanner für EU-Flughäfen zugelassen Rohde Schwarz hat einen wichtigen Meilenstein erreicht Die Detektionstechnologie des QPS Walk2000 wurde von der Europäischen Zivilluftfahrtkonferenz zugelassen Er ist damit der erste Walk-Through-Millimeterwellen-Sicherheitsscanner der in Flughäfen eingesetzt werden darf Die Zertifizierung bestätigt dass der Scanner die strengen Erkennungsanforderungen für die Luftsicherheit erfüllt die die ECAC an die Personenkontrolle stellt Dank dieser Zulassung kann Rohde Schwarz die hochmodernen Scanner nun in der gesamten Europäischen Union ausliefern und ermöglicht den Flughäfen in der Region effizientere Sicherheitskontrollen als je zuvor Die Zulassung wurde erteilt nachdem Rohde Schwarz die von den ECAC-Laboren durchgeführte Prüfung im Rahmen des gemeinsamen Bewertungsprozesses CEP erfolgreich absolvierte Der CEP dient der Beurteilung von Sicherheitsausrüstungen nach Performance-Standards der ECAC EU und bietet einen gemeinsamen Referenzpunkt für die nationalen Behörden die Sicherheitsausrüstungen in Flughäfen zertifizieren oder zulassen Wenn ein Gerät diese Normen gemäß dem Ergebnis des CEP erfüllt ist es automatisch zur EU-Zulassung und Kennzeichnung mit dem „EU-Stempel“ berechtigt Die kontrollierten Personen können nun in natürlichem Tempo und mit normaler Körperhaltung durch den Sicherheitsscanner gehen Die Millimeterwellen die der QPS Walk2000 einsetzt durchdringen die Kleidung und die genaue Position potenziell gefährlicher Objekte wird in Echtzeit auf einem Avatar angezeigt Falls ein Alarm ausgelöst wird kann sich das Sicherheitspersonal auf den angegebenen Bereich konzentrieren anstatt den Passagier vollständig abtasten oder erneut scannen zu müssen Der Flughafen Frankfurt setzt den QPS Walk2000 bereits ein und ist damit der weltweit erste Flughafen der regelmäßig Durchgangsscanner zur Passagierkontrolle einsetzt Nach diesem Erfolg will Rohde Schwarz mehrere Feldversuche an wichtigen Flughäfen in ganz Europa durchführen »Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit den Flughäfen und Fluggesellschaften der 44 Mitgliedsstaaten um die Sicherheitstechnik der nächsten Generation einzuführen und das Passagiererlebnis für Reisende in ganz Europa zu verbessern« erklärt Andreas Hägele Vice President Microwave Imaging bei Rohde Schwarz nw ■ Bald sollen die modernen Durchgangs-Sicherheitsscanner von Rohde Schwarz an Flughäfen in der gesamten EU eingesetzt werden Bild Rohde Schwarz Infineon Technologies Erste GaN-Transistorfamilie mit Schottky-Diode Infineon Technologies hat die weltweit ersten Galliumnitrid GaN -Leistungstransistoren mit integrierter Schottky-Diode für industrielle Anwendungen vorgestellt Die Produktfamilie der Mittelspannungs-CoolGaN-Transistoren G5 mit integrierter Schottky-Diode steigert die Leistung von Stromversorgungssystemen indem sie unerwünschte Totzeitverluste deadtime losses reduziert und so die Effizienz des Gesamtsystems weiter erhöht Darüber hinaus vereinfacht die inte grierte Lösung das Design der Leistungsstufe und reduziert die Stücklistenkosten Bei hart schaltenden Anwendungen können GaNbasierte Topologien aufgrund der höheren effektiven Body-Diode-Spannung V SD von GaN-Bauteilen höhere Leistungsverlusten bewirken Verstärkt wird dieser Effekt durch lange Totzeiten des Controllers was dazu führt dass der Wirkungsgrad geringer ist als angestrebt Um dem entgegenzuwirken wurde für die Leistungsentwicklung bisher entweder eine externe Schottky-Diode benötigt die parallel zum GaN-Transistor geschaltet wird oder es wurde versucht die Totzeiten über Controller zu reduzieren Dies macht allerdings den Entwicklungsprozess komplizierter und erhöht den Zeitund Kostenaufwand Mit dem neuen CoolGaN-Transistor 100 V G5 von Infineon lässt sich das Design deutlich vereinfachen Mit seiner integrierten Schottky-Diode eignet sich der GaN-Transistor für den Einsatz in Serverund Telekom-IBCs DC-DC-Wandlern Synchrongleichrichtern für USB-C-Lade geräte und Hochleistungsnetzteile sowie für Motorantriebe Wegen des Fehlens einer Body-Diode hängt die Sperr spannung V RC von GaN-Transistoren von der Schwellenspannung V TH und der Gate-Vorspannung im ausgeschalteten Zustand V GS ab Außerdem liegt die Schwellspannung eines GaN-Transistors typischerweise über der Einschaltspannung einer Siliziumdiode was im sogenannten dritten Quadranten – also beim Sperrleitungsbetrieb – einen Nachteil darstellt Der neue CoolGaN-Transistor reduziert diese Durchlassverluste in Sperrrichtung bietet höhere Kompatibilität mit einer Vielzahl von High-Side-Gate-Treibern und ermöglicht durch geringere Anforderungen an die Totzeit eine einfachere Anbindung an verschiedene Controller – was letztlich das Design vereinfacht Der erste von mehreren GaN-Transistoren mit integrierter Schottky-Diode ist der 100-V-1 5-mΩ-Transistor in einem 3 x 5 mm² großen PQFN-Gehäuse Technische Muster und Datenblätter sind auf Anfrage erhältlich st ■