Der Blätterkatalog benötigt Javascript.
Bitte aktivieren Sie Javascript in Ihren Browser-Einstellungen.
The Blätterkatalog requires Javascript.
Please activate Javascript in your browser settings.
18 Elektronik 02 2025 LeistungseLektronik Hohe Leistungsdichte mit SiC-MOSFETs der vierten Generation 2-in-1-SiC-Module für kompakte xEV-Wechselrichter Leistungsbauelemente aus Siliziumkarbid SiC gewinnen bei der Entwicklung elektrischer Antriebssysteme immer mehr an Bedeutung Bisher war es jedoch schwierig geringe Verluste bei kleiner Baugröße zu erreichen Rohm stellt sich dieser Herausforderung mit seinem TRCDRIVE pack Von Imane Fouaide Mobilität ist ein wesentlicher Bestandteil unseres täglichen Lebens Ein rascher Umstieg auf klimaneutrale und energieeffiziente Verkehrsmittel leistet einen wichtigen Beitrag für eine grünere Zukunft Dabei spielt die Entwicklung von kompakteren effizienteren und leichteren elektrischen Antrieben eine entscheidende Rolle um die Verbreitung von Elektrofahrzeugen der nächsten Generation xEVs zu fördern und Umweltziele wie die Kohlenstoffneutralität zu erreichen Insbesondere bei Elektrofahrzeugen ist der verbesserte Wirkungsgrad des Antriebsumrichters von großer Bedeutung damit die Reichweite erhöht und die Größe der Bordbatterie reduziert werden kann An der Bedeutung von Siliziumkarbid für die Automobilindustrie herrscht kein Zweifel Allein die Umsatzzahlen der letzten Jahre bestätigen dass gerade die europäische und asiatische Automobil industrie durch die Transformation zur Elektromobilität immer noch stark am Wachsen ist Rohm unterstützt diese Transformation durch Bild Ranju stock adobe com