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9 Buyers Guide Bauelemente 2025 www markttechnik de Systeme Evergreen Vento eignen sich mit ihrer hohen Leistung und der einfachen Handhabung für eine Vielzahl an Systemen in Industrie und Medizin der Halbleiterfertigung aber auch in Supercomputern und Verteidigungsanwendungen Die Ausgangsleistung ist bis max 30 kW abrufbar Bei einer AC-Eingangsspannung von 184 bis 524 V 3-phasig mit PE ist die Ausgangsspannung einstellbar im Bereich 48–60 V DC ag Fortec Power www fortecpower de weborder@fortecpower de Tel 06158 8285-0 SiC-Module für den Automotive-Einsatz STMicroelectronics hat die SiC-Modul-Familie ACEPACK DMT-32 auf den Markt gebracht Sie ist für Automotive-Anwendungen in Durchsteck-Kunststoffgehäusen mit 32 Pins in Dual-Inline-Konfiguration erhältlich In den Modulen verbaut sind SiC-Leistungsschalter mit 1200 V Nennspannung Für die Temperaturüberwachung steht ein integrierter NTC-Sensor zur Verfügung sodass Überhitzungen vermieden werden können eg STMicroelectronics www st com info@st com Tel 089 460060 Niedriger Stromverbrauch Toshiba hat zwei weitere auf seinem eigenen U-MOS-VI-Prozess basierende -60-Vp-Kanal-MOSFETs auf den Markt gebracht Beide Bausteine XPH8R316MC und XPH13016MC sind AEC-Q101-qualifiziert Ausgeliefert werden sie in SOP-Advance WF -Gehäuse mit Wettable-Flank-Anschlüssen Während der XPH13016MC für –60 Aausgelegt ist beträgt der kontinuierliche Drainstrom beim XPH8R316MC –90 A Mit –180 Aund +120 Aist der gepulste Drainstrom jeweils doppelt so hoch Betreiben lassen sich beide Bausteine bis zu einer Kanaltemperatur von 175 °C Im Fall des XPH8R316MC beträgt der maximale Durchlasswiderstand 8 3 mΩ im Fall des XPH13016MC sind es 12 9 mΩ eg Toshiba Electronics www toshiba semiconstorage com Tel 0211 5296-0 Jetzt mit SiCund IGBT-Produkten Rohm Semiconductor hat seine LTspice-Bibliothek um SiCund IGBT-Produkte erweitert Damit steht nun die weltweit größte Bibliothek dieser Art für diskrete Bauelemente mit über 3500 Modellen zur Verfügung Damit steigt der Anteil der LTspice-Modelle auf der Rohm-Website auf über 80 Prozent aller Produkte eg Rohm Semiconductor www rohm com eu info@de rohmeurope com Tel 02154 9210 Erste 15-V-Trench-MOSFETs im PQFN-Gehäuse Speziell für DC DC-Schaltnetzteile mit niedriger Ausgangsspannung und hohen Schaltfrequenzen sind die ersten 15-V-Power-MOSFETs der Serie OptiMOS 7 von Infineon Technologies konzipiert Neben den neuesten PQFN-Source-Down-Varianten im Format 3 3 × 3 3 mm 2 mit Bottomund Dual-Side-Kühlvarianten sowie Standardund Center-Gate-Anschlussfläche umfasst das Produktportfolio auch eine robuste PQFN-Gehäusevariante 2 × 2 mm 2 mit optimiertem Clip Diese bietet eine Impulsstromfähigkeit von mehr als 500 Aund einen typischen RthJC von 1 6 K Weg Infineon Technologies www infineon com support@infineon com Tel 0800 951951951 Kleine und flachere Designs ermöglichen In einem besonders kleinen und flachen Formfaktor bietet Rohm seit Kurzem seine jüngsten Produktneuvorstellungen im Bereich der 600-V-MOSFETs an Sie sind in SOT-223-3-Gehäusen mit Abmessungen von 6 5 × 7 × 1 66 mm 3 untergebracht Im Vergleich zu klassischen TO-252-Gehäusen reduzieren sich damit die Grundfläche und die Gehäusehöhe um 31 beziehungsweise um 27 Prozent Erhältlich sind die fünf neuen Produkte seit Kurzem über die Online-Distributoren DigiKey Mouser und Farnell eg Rohm Semiconductor www rohm com eu info@de rohmeurope com Tel 02154 9210 Branchenweite Bestwerte Seit Januar vertreibt Rutronik die neuen Optokoppler VOMDA1271 von Vishay Diese Photovoltaik-MOSFET-Treiber sind AEC-Q102-qualifiziert und vereinen hohe Leistung bei großer Designflexibilität mit niedrigeren Kosten Als erster Baustein dieser Art wurde der Optokoppler mit einer integrierten Abschaltung unter anderem für die Automobilindustrie entwickelt Branchenweit liefert der VOMDA1271 die kürzesten Schaltzeiten und die höchste Leerlaufspannung Die Einschaltzeit liegt bei 0 05 ms die integrierte Turnoff-Schaltung arbeitet mit 80 µs eg Rutronik www rutronik com michael cao@rutronik com Tel 07231 801-1231