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Nr 15 2024 www markttechnik de Aktuell Physik Instrumente PI beteiligt sich am einem EU-Projekt für die Entwicklung der neusten Maschinen für die IC-Fertigung und arbeitet an hochpräzisen Positioniersystemen mit Genauigkeiten von unter einem Millionstel mm Aktuell entsprechen mit der 3-nm-Technologie produzierte High-End-ICs dem Stand der Technik Bereits im nächsten Jahr sollen Fertigungstechnologien für den 2-nm-Technologieknoten zur Verfügung stehen und bis 2027 für 1 4 nm also 14 Angström Ziel des EU-Projekts »14ACMOS« ist es Maschinen für die Fertigung von Chips auf dem 1 4-nm-Technologieknoten zu entwickeln 1 Angström entspricht einem zehnmillionsten Millimeter oder 0 1 nm Das mit 95 Mio Euro dotierte Forschungsprojekt 14ACMOS wird von der EU kofinanziert und vom »Gemeinsamen Unternehmen für Chips Chips JU « unterstützt Es bündelt das Knowhow und die Entwicklungskompetenz der führenden Ausrüster der Halbleiterindustrie Europas Koordiniert wird das Projekt an dem 25 Partner aus sechs Ländern beteiligt sind von ASML dem niederländischen Weltmarktführer für Lithografiesysteme zur Halbleiterherstellung Die im Rahmen des Projektes 14ACMOS zu entwickelnden Positioniersysteme von PI müssen auch unter Vakuumbedingungen präzise und hochdynamisch funktionieren damit sie wirtschaftlich einsetzbar sind PI ist seit Jahrzehnten Systempartner für die Halbleiterindustrie und mit Positioniersystemen in zahlreichen Bereichen der Halbleiterfertigung weltweit vertreten Die Produkte des Spezialisten für die Nanopositionierung kommen beispielsweise bei der Lithografie oder der Metrologie für die Qualitätskontrolle zum Einsatz ha ■ info@photocad de www photocad de SMD-Schablonen für maximale Leistung PRÄZISION DIE FUNKTIONIERT für schnellen Standard für kleinste Bauteile Anzeige High-Bandwidth-DRAM 260 Prozent mehr Bits in diesem Jahr Für 1 4-nm-ICs PI positioniert auf den Millionstel mm Um 260 Prozent pro Jahr wird die Kapazität für High-Bandwidth-Memory HBM auf DRAM-Basis laut TrendForce steigen Von 8 4 Prozent 2023 wird ihr Umsatzanteil in diesem Jahr auf 20 1 Prozent springen Denn die Hersteller investieren wegen der hohen HBM-Preise kräftig in den Ausbau dieses Sektors Avril Wu Senior Vice President von TrendForce prognostiziert dass die Hersteller bis Ende 2024 250 000 Wafer-Starts pro Monat der Fertigung von HBM-DRAMs gewidmet haben werden – 14 Prozent der gesamten DRAM-Kapazität Gegenüber den DDR5-DRAMs gleicher Speicherkapazität liegt die Die-Fläche der HBM-DRAMs um 35 bis 45 Prozent höher Die Ausbeute einschließlich der Through-Silicon-Via-Packaging-Technik die erforderlich ist um die DRAMs in den HBM-Gehäusen übereinander zu stapeln liege um 20 bis 30 Prozent unter der von DDR5-DRAMs Der Herstellungsprozess der HBMs nehme um 1 5 bis 2 Monate mehr Zeit in Anspruch Vom Wafer-Start bis zum anschließenden Packaging gingen über zwei Quartale ins Land Also müssten die Anwender die HBMs früher ordern Die meisten Aufträge für 2024 seien bereits bei den Herstellern eingegangen Samsung und SK hynix verfolgen die ambitioniertesten Ausbaupläne Samsung will bis Ende des Jahres auf 130 000 Wafer-Starts pro Monat kommen einschließlich des Through-Silicon-Via-Packaging TSV Die Kapazität von Sk hynix beträgt laut Wu 120 000 Wafer-Starts pro Monat Was den Marktanteil angeht liegt SK Hynix mit nicht weniger als 90 Prozent im Bereich der HBM3-Speicher vorne Samsung werde mit der Einführung des »MI300« von AMD dicht folgen ha ■ Der Anteil des HBM-Marktes am Gesamtmarkt für DRAMs von 2022 bis 2024 in Millionen Dollar Die Kapazitäten der führenden Hersteller für HBM-DRAMs und den TSV-Advanced-Packaging-Prozess Bilder TrendForce