Der Blätterkatalog benötigt Javascript.
Bitte aktivieren Sie Javascript in Ihren Browser-Einstellungen.
The Blätterkatalog requires Javascript.
Please activate Javascript in your browser settings.
Nr 13 2024 www markttechnik de Aktuell 3 Fortsetzung von Seite 1 Fortsetzung von Seite 1 Angriff auf Siund GaN-Domäne Die Neuheiten auf der embedded world liche Gegensätze wie bei Leistung und Effizienz aufzulösen und die Weiterentwicklung smarter Steuerungen cloudbasierter Dienste sowie die Automatisierung am Edge begünstigen Einige Beispiele dafür finden Sie in unserer Messe-Vorberichterstattung ab Seite 23 lb ■ In der Branche zeigt man sich überrascht von den Plänen und – Stand heute – arbeitet offiziell niemand an einem vergleichbaren SiC-MOSFET oder plant gar eine zeitnahe Markteinführung Während einige Branchenexperten wie etwa Dr Martin Schulz Global Principal Application Engineer bei Littelfuse Europe »keinen technischen Vorteil von SiC gegenüber Si und GaN in diesem Spannungsbereich sieht ebenso wenig wie einen kommerziellen« weisen andere auf die technischen Schwierigkeiten hin die zu überwinden wären um so ein Bauteil zu realisieren Prof Dr Leo Lorenz zeigt sich insofern überrascht »als bei niedrigsperrenden SiC-Devices der Kanalwiderstand das dominierende Thema ist« Er geht davon aus dass es gelungen ist durch entsprechendes Kanal-Engineering etwa durch große Kanalweiten was dann aber wieder die Kurzschluss-Beherrschung schwierig machen würde einen neuen Weg zu finden Er weist auch darauf hin dass es beim Thema SiC nach wie vor Zuverlässigkeitsfragen beim Gate-Oxid und der Bipolardegradation gibt Andere stellen sich konkret die Frage wofür so ein 400-V-SiC-OSFET dann einsetzbar wäre Aus Sicht von Florian Freund Director Engineering DACH bei Arrow Electronics »dürften damit viele Applikationen adressiert werden die bis heute mit 400-V-Silizium-Transistoren arbeiten und man in Zukunft eben die Vorteile von Wide-Bandgap-Transistoren nutzen will« Er verweist dabei auf DC DC-Anwendungen und Audioverstärker »ich sehe aber auch immer häufiger Batteriekonstellationen die Primärschalter in Sperrwandlertopologien von 400 Vbenötigen« Ähnlich argumentiert Alfred Hesener Senior Director Industrial Consumer bei Navitas Semiconductor »Es gibt Multilevel-Topologien für Umrichter die mit 400 V Eingangsspannung arbeiten aber nur Bauteile mit geringerer Durchbruchspannung benötigen « Er hält aber auch Anwendungen in den USA und Japan die mit 115 V AC laufen als potenzielle Zielapplikationen für möglich Thomas Grasshoff Head of Strategy und Senior Director bei Semikron Danfoss macht darauf aufmerksam »dass gerade bei Klimageräten und Wärmepumpen die regulatorischen Anforderungen bezüglich Energieeffizienz hochgesetzt wurden und SiC-Bausteine dort zur Verlustleistungsoptimierung sicher eine Option sind« Je nach Betriebspunkt ließen sich mit SiC-Bauteilen im 400-V-Bereich die Verluste um 30 bis 50 Prozent reduzieren Udo Blaga Technical Application Engineer Power bei Avnet Silica weist darauf hin dass unterhalb der batteriegetriebenen Fahrzeuge mit 400-bis 800-V-DC-Bus der Markt für Light-BEVs wachse »Bei diesen dürfte die DC-Bus-Spannung um 100 bis 300 Vliegen dort würden dann 400-V-SiC-MOS-FETs ihre Anwendung finden« Dr Dirk Wittorf Vice President Corporate Strategy Chief of Staff bei Nexperia setzt bei den Anwendungen für einen 400-V-SiC-MOSFET auf »kostenoptimierte Lösungen für Wallbox-Charger im 110-V-AC-Bereich das würde zum Beispiel für den amerikanischen Markt sprechen« Nexperia betont er adressiere weiterhin SiC-Anwendungen mit Sperrspannungen über 650 Vund GaN-Ânwendungen bis 650 V Sperrspannung Bei STMicroelectronics sieht man ein Potenzial für 400-V-SiC-MOSFETs in Hochleistungsstromversorgungen für Telekommunikationsund Datencenter-Anwendungen In seinem Statement legt ST Wert auf die Feststellung »dass es im Sperrspannungsbereich unter 650 Vnach unserer Analyse keine Ron -Area-Vorteile gibt unabhängig von der eingesetzten Bauelementestruktur« ST will den Markt aber weiter beobachten ob sich in Zukunft eventuell technische oder kommerzielle Gründe für einen 400-V-SiC-MOSFET eröffnen Die Analysten bei S P Global beschäftigen sich in erster Linie mit dem Auto-Mehr Informationen erhalten Sie hier HIOKI EUROPE GmbH Helfmann-Park 2 65760 Eschborn hioki@hioki eu www hioki eu Ideal für SiC GaN Anwendungen Japanische Präzision seit 1935 Profi tieren Sie von mehr als 35 Jahren Erfahrung Hochpräzise Leistungsanalysatoren und Sensorik aus einer Hand Seite 8 Udo Blaga Avnet Silica »SiC würde die höheren Bauteilpreise über die Einsparungen im Gesamtsystem zu welchem die Kühlung aber auch die Gehäusegröße der realisierten Anwendung gehören rechtfertigen «