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10 Buyers Guide Bauelemente 2024 www markttechnik de Diskrete 650-V-IGBT-Version Infineon Technologies hat seine Trenchstop-IGBT-Familie der 7 Generation um die diskrete 650-V-Variante IGBT7 H7 erweitert Mit einer Emittergesteuerten integrierten EC7-Diode unterstützt das Bauteil schnelles Schalten Untergebracht ist das Bauteil in einem diskreten Gehäuse und liefert bis zu 150 A Zum Portfolio gehören Varianten von 40 bis 150 A Sie werden in vier verschiedenen Gehäuseversionen angeboten Der 650-V-Trenchstop IGBT 7 H7 zeichnet sich durch eine hohe Feuchtigkeitsbeständigkeit aus die einen zuverlässigen Betrieb in rauen Umgebungen ermöglicht Im Vergleich zur vorherigen Generation bietet die neue Serie um 39 Prozent reduzierte Gesamtverluste eg Infineon Technologies www Infineon com support@infineon com Tel 0800 951951951 Erster 1250-V-GaN-Schalter-IC Power Integrations hat mit dem InnoSwitch 3-EP 1250 Vden bislang leistungsstärksten Galliumnitrid-Stromversorgungs-IC auf den Markt gebracht Im Vergleich zu äquivalenten Silizium-Bauelementen mit derselben Spannung betragen die Schaltverluste weniger als ein Drittel Daraus ergibt sich ein Wirkungsgrad von bis zu 93 Prozent Dies ermöglicht die Realisierung von sehr kompakten Flyback-Netzteilen die ohne Kühlkörper eine Ausgangsleistung von bis zu 85 Wliefern können Entwickler die das neue Bauteil einsetzen können nach Angaben von PI unbesorgt eine Betriebsspitzenspannung von 1000 Vspezifizieren was ein branchenübliches Derating von 80 Prozent der absoluten Höchstspannung von 1250 Vermöglicht Bei Auftragsgrößen von 10 000 Stück beginnen die Nettostückpreise bei 3 Dollar pro Chip eg Power Integrations www power com Tel 089 552739100 Erhöhte Robustheit und Effizienz STMicroelectronics bietet seit Kurzem IGBTs mit einer auf 1350 Vangehobenen Durchbruchspannung und einer maximalen Betriebstemperatur von +175 °Can Zu den vorteilhaften Parametern der IGBTs der Serie STPower IH2 gehören eine niedrige Sättigungsspannung die für geringe Verluste beim Einschalten der Bausteine bürgt Ihre Freilaufdiode ist durch einen niedrigen Spannungsabfall und eine optimierte Abschaltenergie gekennzeichnet was einen höheren Wirkungsgrad von Quasi-Resonanz-Wandlern in Single-Switch-Ausführung mit Schaltfrequenzen von 16 bis 60 kHz zur Folge hat Als erste Bauelemente der neuen Serie werden der STGWA25IH135DF2 25 Aund der STG-WA35IH135DF2 35 Ain Long-Lead-Leistungsgehäusen der Bauart TO-247 angeboten eg STMicroelectronics www st com info@st com Tel 089 460060 Automotive-MOSFETs im neuen Gehäuse Toshiba Electronics neue 40 Vn-Kanal-Leistungs-MOSFETs für den Automotive-Bereich basieren auf dem neuesten U-MOS-IX-H-Prozess des Unternehmens Untergebracht sind die Bausteine in neuen S-TOGL-Gehäusen Sowohl der Baustein XPJR6604PB als auch der XPJ1R004PB haben eine UDSS-Nennspannung von 40 V Während der XPJR6604PB für einen kontinuierlichen Drainstrom von 200 Aausgelegt ist sind es im Fall des XPJ1R004PB 160 A Beide Bausteine sind für einen gepulsten Strom mit dem dreifachen Wert 600 Abeziehungsweise 480 Aauslegt Durch die Kombination des S-TOGL-Gehäuses mit dem U-MOS-IX-H-Prozess erreicht der XPJR6604PB einen Durchlasswiderstand von 0 66 mΩ Der XPJ1R004PB erreicht 1 mΩ eg Toshiba Electronics www toshiba semiconstorage com Tel 0211 5296-0 Source-Down-Gehäuse-Upgrade Seit Kurzem sind bei Rutronik die OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies mit 25 bis 150 Vals verbesserte Version im Source-Down-Gehäuse mit Bottom-Side-Cooling und Center-Gate-Footprint erhältlich Sie wurden für Applikationen bei denen eine Parallelschaltung erforderlich ist optimiert und verfügen über den derzeit geringstmöglichen Einschaltwiderstand auf einer PCB-Fläche von 5 × 6 mm 2 eg Rutronik www rutronik com hannah metzner@rutronik com Tel 07231 801-1551 100-V-GaN-FETs shrinken Motorantriebe Mit dem EPC9194 hat EPC ein Referenzdesign für einen 3-Phasen-BLDC-Motor-Wechselrichter vorgestellt Es arbeitet mit einer Eingangsspannung von 14 bis 60 Vund liefert einen Ausgangsstrom von bis zu 60 A Mit diesem Spannungsbereich und Leistungsniveau eignet sich die Lösung für zahlreiche 3-Phasen-BLDC-Motorantriebe wie eBikes eScooer Drohnen Roboter und DC-Servomotoren Auf dem Demoboard befinden sich sechs 100-VeGaN-FETs EPC2302 im 3 × 5 mm 2 großen QFN-Gehäuse Der Nettopreis des bei DigiKey erhältlichen Referenzdesign-Boards beträgt 909 US-Dollar eg Efficient Power Conversion www epcco com Tel 0044 1270 872315 Halbleiter|Leistungshalbleiter