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21 2023 Elektronik 13 AnAlog Power Bild 6 Optische Ausgangsleistung bei Verwendung eines Rechteck-HEMT-Gate-Treibers zeitliche Abstimmung erfordern Trotz dieser Nachteile können diese beiden Eigenschaften durch die Verwendung der beliebteren Resonanzkonfiguration verbessert werden GaN-HEMT-Schaltung in Einflanken-Resonanzkonfiguration Wie aus dem Simulationsschaltplan in Bild 7 hervorgeht nimmt der HEMT bei der Resonanztopologie eine völlig andere Rolle ein Anstatt den Strom direkt über den Laser zu steuern wird der HEMT U1 verwendet um über die Induktivität L1 und den Kondensator C2 eine Resonanz entladung auszulösen Auf diese Weise ist nur die Vorderflanke des Steuersig nals von Bedeutung da die Pulsbreite Bild 7 Simulationsschaltplan eines HEMT-Gate-Treibers in Resonanzkonfiguration Bild Rohm Semiconductor Bild Roh m Sem ic on du ct or Produktentwicklung im Zeitplan? Sofort mit PHYTEC Development Kit starten Embedded Vis ion? K I? Devicemanagment ? • Einfach online das richtige Kit auswählen und in wenigen Tagen die Anwendungsentwicklung beginnen • Verschiedene Prozessorherstellerund Klassen sofort verfügbar NXP ST und TI • Alle Kits mit vorbereitetem und industrietauglichem Linux-BSP • Inklusive DesignIn-Unterlagen und Inbetriebnahmegarantie P H Y T E C M E S S T E C H N I K G M B Hw w w p hy te c d e Jetzt Kits online im Shop bestellen ALLE KITS SOFORT VERFÜGBAR