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10 Elektronik 21 2023 AnAlog Power Semiconductor zum Beispiel Laser dioden mit einer Spitzenleistung von bis zu 120 Wbei 905 nm Halbleiterschalter für die Generierung von LiDAR-Pulsen Um Lichtpulse für LiDAR zu erzeugen müssen die Laser von einem Halbleiter schalter angesteuert werden Auch hier wirkt sich die Qualität des Schalters direkt auf die Auflösung des LiDAR Bildes aus Sie ist typischerweise durch die Einschaltzeit den Spitzenstrom und den Schaltverlust gekennzeichnet Ein Technologiebeispiel für LiDAR Schalter ist ein HEMT High Electron Mobility Transistor der aus Gallium nitrid GaN besteht Im Vergleich zu herkömmlichen SiliziumBauelemen ten weisen diese Schalter sehr schnelle Schaltgeschwindigkeiten und eine bis zu 65 Prozent geringere Verlustleistung auf Bild 2 Für Hochleistungsanwendungen wie LiDAR gibt es GaNHEMTBauelemente die verschiedene Systembetriebsspan nungen und Leistungsstufen unterstüt zen Das Portfolio der GaNHEMTs von Rohm Semiconductor umfasst Modelle für 150 Vund 650 V HEMT-Gate-Treiber Um die Vorteile der schnellen Schalt geschwindigkeiten von HEMTs zu nut zen müssen ihre Gates mit einem Hoch geschwindigkeitssignal angesteuert werden Am Anfang der LiDARAus gangsstufe befindet sich der HEMT GateTreiber Bild 3 Die Treiber wurden speziell entwickelt um die geeignete Bild 1 Hochleistungs-Laserdioden verbessern die Auflösung bei der 3D-LiDAR-Erfassung Bild Rohm Semiconductor Bild 2 Schaltverluste eines HEMT im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumtransistoren tionsbereichs des menschlichen Auges abgestimmt Die Qualität der von den Lasern erzeugten Strahlen ist von ent scheidender Bedeutung für die Auflö sung von LiDARSystemen Wie in Bild 1 dargestellt kann die Auflösung durch den Einsatz von Hochleistungslasern mit einem begrenzten Emissionsbereich erheblich verbessert werden Für LiDAR und SLAMAnwendungen Simultaneous Localization and Map ping bietet das Unternehmen Rohm Bild Roh m Sem ic on du ct or