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8 Elektronik 19 2023 GMM-News Masken und Photo-Resisten im Blickpunkt Weitere Vorträge widmeten sich anderen wichtigen Komponenten des Lithographie-Prozesses den Masken und Photo-Resisten EUV-Masken sind prinzipbedingt ebene Spiegel die auf der Oberfläche eine Absorberschicht tragen In diese Absorberschicht wird durch einen anderen Lithographie-Prozess die gewünschte Struktur eingeprägt Bei der Abbildung dieser Struktur auf dem Wafer müssen allerdings komplexe Wechselwirkungen mit der Optik des Belichtungsgerätes beachtet werden Gegenwärtig geht es darum diese Wechselwirkungen besser zu verstehen und für eine genauere Abbildung einzusetzen Auch bezüglich der Photo-Resiste wurde deutlich dass weitere Forschung notwendig ist um in einigen Jahren A14-Strukturen nicht nur abbilden sondern auch stabil im entwickelten Resist darstellen zu können Eine eigene Session mit vier Vorträgen war der Elektronenstrahl-Lithographie gewidmet die vorrangig – aber nicht nur – für die Herstellung von Masken inklusive EUV-Masken benötigt wird Für High-End-Masken haben sich seit einigen Jahren Multibeam-Maskenschreiber von IMS Nanofabrication Wien etabliert später ist auch NuFlare Technology als Anbieter dazugekommen Bei Elektronen-Multibeam-Geräten werden Maskenstrukturen gleichzeitig mit einer großen Anzahl von Teilstrahlen gegenwärtig circa 250 000 geschrieben Als großer Vorteil ergibt sich dass die Schreibzeit für Masken unabhängig von der Größe und Anzahl der Mikround Nanometer-Strukturen wird und eine typische High-End-Maske in etwa zehn bis zwölf Stunden oder weniger geschrieben werden kann Allerdings schreibt jeder Teilstrahl ein einzelnes Pixel in fester Größe es können also prinzipiell keine kleineren Strukturen als solche in Pixelgröße erzeugt werden In Vorträgen von beiden Unternehmen wurden jeweils der aktuelle Stand und die Perspektiven für zukünftige Technologie-Nodes kleinere Pixel mehr Strahlen dargestellt sowie im Vortrag von IMS Nanofabrication Wien auf technische Details der Realisierung eingegangen In mehreren Vorträgen deutete sich an dass der Trend zu flächenmäßig immer größeren Chips mit mehr Transistoren und Funktionen Systems on Chip SoC zu Ende gehen und sich sogar umkehren könnte Dafür könnten insbesondere zwei Faktoren verantwortlich sein Bei immer weiter schrumpfenden Strukturgrößen steigt die Wahrscheinlichkeit von Defekten und das verringert die Ausbeute Bleiben die Chips kleiner verbessert sich dagegen die Ausbeute Ein zweiter Faktor ist die zukünftige Einführung von High-NA-Belichtungsgeräten numerische Apertur ≥ 0 55 und die dafür notwendige anamorphe Optik Dadurch verkleinert sich die verfügbare Fläche auf der Maske um die Hälfte Falls die nutzbare Fläche für einen großen Chip zu klein ist muss der Chip auf zwei Masken aufgeteilt werden was wegen höherer Maskenkosten und neuen Stitching-Problemen gern vermieden würde Natürlich müssen dann die kleineren Chips wieder zu größeren Funktionseinheiten mithilfe sogenannter Interposer zusammengesetzt werden Dafür geeignete Technologien basieren zum Beispiel auf Nano-Imprint-Lithographie wofür Beispiele vorgestellt wurden Ohne im Folgenden weiter auf Details einzugehen wurden auch in den Vorträgen der Sessions zu Metrologie maskenloser Lithographie Lithographie mit schon länger verfügbaren also »reifen« Technologien wie zum Beispiel DUV Wellenlänge 193 nm und Data Analytics KI spannende neue Informationen geliefert Eigene Session für studentische Beiträge Mit großem Erfolg wurde das im vergangenen Jahr gestartete Format von ausschließlich studentischen Beiträgen in einer eigenen Session mit zusätzlichem Poster fortgeführt Für den besten Beitrag mündliche Präsentation plus Poster hat das Unternehmen Carl Zeiss erneut den »Zeiss Award for Talents in Photomask Industry« ausgelobt Dieses Jahr ging der Preis an Sean D’Silva vom Fraunhofer IISB in Erlangen für seinen Beitrag »Predicting Resist Pattern Collapse in EUVL Using Machine Learning« Für alle Teilnehmer boten die Konferenzpausen die konferenzbegleitende Ausstellung mit zehn Unternehmen das Gettogether am Montagabend und vor allem das Konferenz-Dinner am Dienstagabend im historischen Pulverturm zu Dresden gute Gelegenheiten zum fachlichen Austausch mit Kollegen und Unternehmen aus der Branche Insgesamt war die EMLC 2023 wieder eine sehr interessante Konferenz die allen Teilnehmern einen Querschnitt des aktuellen Standes und der Perspektiven im Lithographie-Umfeld vermittelt hat Die 39 Ausgabe der EMLC wird vom 17 bis 19 Juni 2024 in Grenoble stattfinden Reinhard Galler EQUIcon Software Jena ih Auf der EMLC 2023 hielt Bernhard Kneer von Carl Zeiss SMT Oberkochen ein Tutorial zum Thema »Technology of EUV Lithography Optics« Bild VDE