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Nr 50–51 2022 www markttechnik de Aktuell Nachrichten 3 die Praxis völlig irrelevant sind Wir dagegen testen nicht im herkömmlichen Sinne sondern wir monitoren die Speicher-ICs unter realen anwendungsnahen Bedingungen um mit viel höherer Wahrscheinlichkeit als bisher prognostizieren zu können dass sie im jeweiligen Zielsystem stabil funktionieren – das kann sonst keiner das ist einzigartig« sagt Peter Pöchmüller Zur Neumonda-Gruppe gehören der Speicherkomponentenund Modulhersteller Intelligent Memory die auf den Vertrieb von Speicher-Produkten spezialisierte Memphis Electronic sowie Neumonda Technologies die sich auf die Entwicklung des Test-IP für Speicherprodukte konzentriert Mit einem vollständig ausgetesteten Produkt rechnet Peter Pöchmüller für Ende 2024 »dann steigen wir in die Vermarktung ein« Um zu verstehen was hinter dem vollkommen neuen Konzept steckt ein kurzer Blick darauf wo die Herausforderungen des Tests für Speicher-ICs liegen und wie er bisher funktioniert Als Beispiele soll der Test von DRAMs dienen auf deren Test auch der erste Prototyp von Neumonda Technology abzielt Dazu sind drei getrennte Einzeltests erforderlich die jeweils ihre eigenen sehr teuren Maschinen erfordern • Der Burnin-Test in dem die DRAMs durch hohe Temperaturen und hohe Spannungen einem künstlichen Alterungsprozess unterworfen werden Zehn Stunden Testzeit entsprechen dann ungefähr einer Alterung um ein Jahr • Der Array-Test in dem alle Zellen des DRAMs getestet werden • Der Speed-Test in dem die Timings und die Logik getestet werden Im Array-Test werden auf einem professionellen Tester meist 512 DRAMs parallel bei jeweils ungefähr 300 MHz Taktfrequenz geprüft wobei jeweils nur ein I Opro DRAM angeschlossen ist Das ist sehr weit weg von den realen Einsatzbedingungen beispielsweise eines DDR4-DRAMs der bis 2 GHz getaktet wird Eine Testzeit von 20 bis 30 Minuten ist dazu erforderlich »Das ist eine vollkommen künstliche Umgebung ohne Noise« sagt Peter Pöchmüller »Was aber zählen sollte ist doch die Kundenumgebung und ob die DRAMs dort robust laufen « Besonders teuer ist heute der Speed-Test in dem die Parameter mit hoher Genauigkeit getestet werden wie beispielsweise die TAC auf ±250 ps – nur um sicherzustellen dass die Spezifikationen des Standards eingehalten werden Weil dieser Test so teuer ist spendieren die Speicher-IC-Hersteller dafür meist nur 60 s pro DRAM Allerdings sind diese Parameter in der Praxis irrelevant sie sagen gar nichts drüber aus ob die Speicher in ihrer jeweiligen Anwendung stabil funktionieren werden oder nicht »Deshalb lassen wir diesen Teil von vorneherein weg« so Peter Pöchmüller »Wir gehen einen anderen Weg wir drehen sozusagen alles um Wir testen Module und Einzelkomponenten an einem ‚schmutzigen’ Bus zum Controller der den Speicherbus steuert Wir versuchen erst gar nicht künstliche saubere Testumgebungen aufzubauen die mit dem Einsatz der DRAMs in der Praxis nichts zu tun haben « Es käme eben nicht darauf an die Störungen herauszuhalten sondern im Gegenteil die Störungen die in der Praxis auftauchen können – darunter Übersprechen Spannungseinbrüche und schlechtes Management der Kapazitäten die in den üblichen Testern nicht vorkommen – in den Test einzubringen »Beispielsweise einen Jitter der das vorliegende Datenauge weiter reduziert und zusätzliche Robustheit für eine nicht ideale Kundenumgebung bereitstellt Dann fällt ein DRAM plötzlich auch im Test wie in der realen Applikation aus obwohl er nach Spezifikation fehlerfrei ist Solche Tests sind heute nicht möglich weil die Tester entweder die nötige Funktionalität nicht bereitstellen oder aus Kostenund Zeitgründen lang laufende Tests schlicht nicht möglich sind « Auch der Burnin-Test sollte möglichst schnell über die Bühne gehen Dabei tauchen viele Fehler erst nach einer längeren Zeit auf als nach den zwei bis sechs Stunden die die Speicher-IC-Hersteller dafür meist spendieren Wenn beispielsweise ein IC wegen kleiner Prozessfehler zu viele der gefürchteten Metall-Ionen abbekommen hat dann kann es viele Stunden dauern bis die Ionen-Wanderung sich durch einen Fehler im DRAM bemerkbar macht Diese Fehler sind sehr unangenehm weil transient – sogenannte Variable Retention Time – und nach Sekunden Fortsetzung von Seite 1 Neue Speicher-IC-Testmethode Mehr Informationen erhalten Sie hier HIOKI EUROPE GmbH Helfmann-Park 2 65760 Eschborn hioki@hioki eu www hioki eu Japanische Präzision seit 1935 Logger Dir einen HIOKI MR6000 – Datenerfassung mit bis zu • 24 bit Abtasttiefe • 200 MS s Abtastrate • 1000 V DC an isolierten Eingängen Seite 8 Peter Pöchmüller CEO der Neumonda-Gruppe »Wir testen nicht im herkömmlichen Sinne sondern wir monitoren die Speicher-ICs unter realen anwendungsnahen Bedingungen um mit viel höherer Wahrscheinlichkeit als bisher prognostizieren zu können dass sie im jeweiligen Zielsystem stabil und robust funktionieren – das kann sonst keiner das ist einzigartig «