Der Blätterkatalog benötigt Javascript.
Bitte aktivieren Sie Javascript in Ihren Browser-Einstellungen.
The Blätterkatalog requires Javascript.
Please activate Javascript in your browser settings.
Tag 2 – Mittwoch 16 November 2022 Termine | Dates Anzeige ❚ Power Electronics Forum Leistungselektronik für die Energiewende Die Karten für die Erzeugung Nutzung und Verteilung von elektrischer Energie werden derzeit neu gemischt Und leistungselek tronische Bauelemente mit bestmöglichem Wirkungsgrad aus Galliumnitrid GaN und Siliziumkarbid SiC spielen dabei eine zunehmend wichtige Rolle Diese Wide BandgapHalbleiter führen zu schnellen und verlustarmen Leistungsbausteinen mit Sperrspannungen und Stromtragfähigkei ten die der Siliziumtechnologie Si vorent halten bleiben So kommen Wechselrichter mit SiliziumkarbidLeistungselektronik auf Wirkungsgrade von bis zu 99 Prozent Die Effizienz beschränkt sich dabei nicht auf die elektrischen Rahmenbedingungen ❚ Power Electronics Forum Power electronics for the energy transition When it comes to generating using and distributing electrical energy the cards are currently being reshuffled And power electronic components with the best pos sible efficiency made of gallium nitride GaN and silicon carbide SiC are playing an increasingly important role These wide bandgap semiconductors result in high speed lowloss power devices with reverse voltages and currentcarrying capabilities that are not available with silicon Si tech nology Inverters with silicon carbide pow er electronics for example achieve efficien cies of up to 99 percent This efficiency is not limited to the electrical properties – it also includes a reduction in mass and vol ume And thanks to the much lower heat losses and higher operating temperatures there is no need for complex cooling sys tems in many cases For electric vehicles this means more range per charge Chips made from silicon carbide and gal lium nitride are still more expensive than their siliconbased counterparts After all they are harder to produce than conven tional semiconductors In addition the number of defects in the crystals is about 100 times higher than for silicon making the construction of robust semiconductor layers much more complex And widebandgap semiconductors are not necessarily the better solution Ulti mately the design is determined not only by energy efficiency but also by the costs service life power range and other basic conditions The Power Electronics Forum in Hall A4 will focus on the technical aspects and challenges posed by these widebandgap semiconductors from 10 00 until 13 30 on Wednesday On Thursday everything will revolve around “Renewable energy” from 13 30 until 17 00 and Friday will conclude the program with “Power supplies and energy storage” from 10 00 until 12 30 Power Electronics Forum Hall A4 Wednesday 10am–1pm Heute auf der VIP-Bühne Zeit Gast Name Firma Oberthema Interview-Themen 10 00–11 00 Dr Wolfgang Heinbach COGD Obsoleszenz Obsoleszenz-Management – ein umfassendes Tool für die Versorgungsicherheit 11 00–12 00 Dr Sebastian Luber Infineon Quanten prozessoren Neue Horizonte für IC-Hersteller 13 00–14 00 Prof Florin Udrea Cambridge GaN Devices Gene Sheridan Navitas Dr Denis Marcon Innoscience Europe Dr Matthias Kasper Infineon Leistungshalbleiter Gallium Nitride – Beyond Consumer Electronics 14 00–14 30 Kai Scharrmann Hioki Messtechnik Trends im Messtechnik-Vertrieb 14 30–15 00 Susanne Schmitz Tektronix Messtechnik Makroökonomische Trends treiben die Messtechnik 15 00–15 30 Olaf Lüthje Vishay Rüdiger Scheel Murata Uwe Reinecke TTI Passive Bauelemente Allokation und kein Ende – wenn Widerstände zu kritischen Bauelementen werden 16 00–16 30 Matthias Schneider IMST HF-Technik Durchgehende Connectivity – wie die Zukunft der HF-Technik aussieht VIP-Bühne Halle 3 Stand 577 sondern schließt ebenso eine Masse und Volumenreduktion ein Und durch die deutlich geringeren Wärmeverluste und höheren Betriebstemperaturen entfällt oftmals die aufwendige Kühlung Für Elek trofahrzeuge bedeutet das mehr Reichwei te pro Ladung Noch sind Chips aus Siliziumkarbid und Galliumnitrid im Vergleich zu den silizium basierten Pendants um einiges teurer Denn in der Produktion stellen sie höhere Anforderungen an die Komponenten als konventionelle Halbleiter Zudem ist die Häufigkeit von Defekten in den Kristallen etwa 100 Mal höher als bei Silizium und der Aufbau robuster Halbleiterschichten damit wesentlich komplexer Auch sind WideBandgapHalbleiter nicht grundsätzlich besser Schließlich bestimmen neben der Energieeffizienz auch die Kosten die Lebensdauer der Leistungsbereich und die Randbedingungen das Design Das Power Electronics Forum in Halle A4 behandelt speziell die technischen Aspekte und Herausforderungen dieser »Wide Band gap Semiconductors« am Mittwoch von 10 00 bis 13 30 Uhr am Donnerstag dreht sich von 13 30 bis 17 00 Uhr alles um »erneu erbare Energien« und der Freitag beschließt von 10 00 bis 12 30 Uhr das Programm mit »Stromversorgungen und Energiespeiche rung« Power Electronics Forum Mittwoch 10 00–13 30 Uhr Halle 4 Professional Power inpotron Schaltnetzteile GmbH | 78247 Hilzingen | www inpotron com Customized Solutions Quality Made in Germany Schaltnetzteile für LED-Beleuchtung Besuchen Sie uns electronica 2022 Halle A4 Stand 425 Beleuchtungssysteme • maßgeschneidert • intelligent • effizient Ihr Spezialist für die Entwicklung und Herstellung kundenspezifischer Schaltnetzteile und intelligenter Stromversorgungslösungen Format 120 x 171 + 3 mm im Anschnitt links unten Tag 2 Seite 10