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Trend Guide Leistungshalbleiter 2022 www markttechnik de ALLE AUSGABEN ALS E-PAPER LESEN DIGITALE AUSGABEN AB SOFORT ERHÄLTLICH shop wekafachmedien de dene Anwendungen zu unterstützen ohne die Hardware ändern zu müssen Dies kann die Entwicklungszeit von der Evaluierung bis zur Fertigung verkürzen Außerdem lassen sich die Steuerungsparameter während des gesamten Entwicklungsprozesses ändern und die Schaltprofile im Feld nach Bedarf und oder bei Verschlechterung der SiC-MOSFETs anpassen Die heutigen SiC-MOSFETs sollten auch Teil eines umfassenden SiC-Ökosystems sein das einen direkten Weg von der Evaluierung in die Fertigung bietet Dazu gehören anpassbare Moduloptionen sowie digitale Gate-Treiber mit denen sich die Leistungsfähigkeit des Systems optimieren und die Zeit bis zur Markteinführung mit einem Mausklick verkürzen lässt Zu den weiteren Bestandteilen dieses Ökosystems gehören Adapter-Boards für Referenzmodule ein SP6LI-Leistungsmodul mit niedriger Induktivität Montagehardware und Anschlüsse für den Thermistor und die Gleichspannung sowie ein Programmierkit für die konfigurierbare Software Ergänzende diskrete Bauelemente runden das Ökosystem ab Bild 6 Modularer Wandler mit mehreren Stufen Bild 7 Bei modernen SiC-Modulen stehen zahlreiche Gehäuseoptionen zur Verfügung darunter auch Halbbrücken-Komponenten mit einer Streuinduktivität von unter 2 9 nH Die Vorteile überwiegen In einer Vielzahl von Anwendungen mit Spannungswandlung von wenigen Watt bis Megawatt bringen Hochspannungs-SiC-MOSFETs die Entwickler dazu die Kompromisse siliziumbasierter Schaltungen zu überwinden und Neuerungen voranzutreiben Siliziumkarbid sorgt für zuverlässigere kostengünstigere kleinere leichtere und effizientere Spannungswandler und Leistungselektronik Zusammen mit einer intelligenten digitalen Gate-Ansteuerung bieten 1700-V-SiC-MOS-FETs den größtmöglichen Nutzen Microchip bietet ein breites Angebot robuster und zuverlässiger SiC-Bauelementen in Form von ungehäusten Chips Bare Dies diskreten Bauelementen und Leistungsmodulen sowie digitale Gate-Treiber die es Entwicklern ermöglichen SiC-MOSFETs einfach schnell und zuverlässig einzusetzen rh ■ 9