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6 Trend Guide Leistungshalbleiter 2022 www markttechnik de Fokus SiC-MOSFETs mit 1700 V Sperrspannung Keine Kompromisse mehr Bei leistungselektronischen Anwendungen mit hohen Spannungen müssen Entwickler eine Reihe Kompromisse eingehen wenn sie siliziumbasierte Bauelemente einsetzen – besonders beim Wirkungsgrad und der Größe Seitdem SiC-MOSFETs mit 1700 V Sperrspannung zur Verfügung stehen ist das nicht mehr nötig Dr Xuning Zhang Senior Technical Staff Engineer Applications und Dr Kevin Speer Senior Manager SiC Power Solutions beide bei Microchip Technology Setzen Entwickler von Stromversorgungen mit hoher Spannung siliziumbasierte MOSFETs und IGBTs ein haben sie damit zu kämpfen die Anforderungen der Kunden nach kontinuierlicher Innovation zu erfüllen Sie können die gewünschte Zuverlässigkeit oft nicht erreichen ohne Einbußen beim Wirkungsgrad hinnehmen zu müssen und auch die heutigen Anforderungen an Größe Gewicht und Kosten können siliziumbasierte Bauelemente nicht erfüllen Mit der Einführung von MOSFETs aus Siliziumkarbid SiC mit Sperrspannungen über 1200 Vbietet sich nun die Möglichkeit die Leistungsfähigkeit zu verbessern und gleichzeitig alle anderen Herausforderungen zu lösen Die heutigen 1700-V-SiC-Bausteine bauen auf dem Erfolg der Produkte mit 650 bis 1200 Vauf die sich in den letzten zwanzig Jahren zunehmend durchgesetzt haben Die Technologie hat bereits bedeutende Fortschritte bei Endgeräten ermöglicht – und jetzt mit Leistungselektronik-Bauelementen mit einer Nennspannung von 1700 Vweiten sich die zahlreichen Vorteile der SiC-Technologie auf neue Marktsegmente aus Darunter fallen elektrifizierte Nutzund Schwerlastfahrzeuge Traktionsantriebe und Hilfsenergie für Straßenbahnen erneuerbare Energien industrielle Antriebe und viele mehr Mit dem richtigen Gehäuse und der richtigen Gate-Ansteuerung können Entwickler die Vorteile von 1700-V-SiC-MOSFETs maximieren Dies verbessert die Vorteile gegenüber den etablierten Siliziumbauelementen über einen möglichst breiten Leistungsbereich Bi ld er Mic ro ch ip Tec hn ol og y