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16 Trend Guide Leistungshalbleiter 2022 www markttechnik de Fokus Designin-Unterstützung für die SiC-MOSFETs der 4 Generation Entwicklungskit für Totem-Pole-PFC-Anwendungen Rohms SiC-MOSFETs der 4 Generation bieten bis zu 50 Prozent geringere Schaltverluste und einen um 40 Prozent reduzierten Durchlasswiderstand ohne die Kurzschlussfestigkeit zu beeinträchtigen Ein Evaluierungskit demonstriert die hohe Leistungsfähigkeit der SiC-MOSFETs in einer modernen Totem-Pole-PFC-Schaltung Gegenüber herkömmlichen Boost-PFC-Schaltungen besteht der Hauptvorteil der Totem-Pole-PFC-Topologie TP-PFC darin dass sie die Niederfrequenz-Gleichrichtung und den mit dem Durchlassverlust eines 50-Hz-Gleichrichters verbundenen Leistungsverlust eliminiert Auf diese Weise können Wirkungsgrade von über 98 Prozent erreicht werden Bei Verwendung einer geeigneten Sekundärstufe mit ähnlichem Wirkungsgrad lässt sich sogar der angestrebte Wirkungsgrad von »80 Plus Titanium« erreichen Neue Technologien bringen auch neue Herausforderungen mit sich wenn es darum geht diese optimal auszunutzen Aus diesem Grund bietet Rohm entsprechende Evaluierungskits EVKs Das hier beschriebene EVK implementiert den TP-PFC mit einem Nenneingangsstrom von 16 Asowie den Designspezifikationen aus der Tabelle Zusätzlich zu den SiC-MOSFETs der 4 Generation enthält das Design Si-SJ-MOSFETs des Unternehmens sowie die Gate-Treiber BM61S41 BM61M41 und andere Komponenten von Rohm wie einen Shunt-Widerstand und einen Flyback-Schaltregler-IC für die Hilfsstromversorgung Bild 1 In Bild 2 wird die Leistungsfähigkeit des EVK veranschaulicht Sie zeigen den gemessenen Wirkungsgrad und den erreichten Eingangsleistungsfaktor – sowohl bei einer Wechselspannung von 230 Vals auch bei 115 V Zum Wirkungsgrad ist anzumerken dass dieser die gesamte Leistungsaufnahme der Hilfsstromversorgungen für die Gate-Treiber die Messund Regelungselektronik und den Lüfter umfasst Es ist zu erkennen dass der erfor-Bi ld er Roh m Sem ic on du ct or Von Abdelmouneim Charkaoui Christian Felgemacher Jochen Hüskens und Felipe Filsecker alle bei Rohm Semiconductor