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Nr 23 2022 www markttechnik de Aktuell Nachrichten Forscher der University of Michigan zeigen in Zusammenarbeit mit Applied Materials einen Prototyp eines SoC vor das aus vier einzelnen ReRAMbasierten CiM-Kacheln Computein-Memory und einem RISC-Vals Host besteht Der Prototyp kommt mit einem 128-MNIST-Datensatz auf eine Klassifizierungsgenauigkeit von 96 8 Prozent die Dichte liegt bei 8 4 TOPS mm 2 und die normalisierte Spitzeneffizienz ist mit 662 TOPS Wangegeben Vom Georgia Institute of Technology kommt ebenfalls ein Vortrag zum Thema »Computein-Memory« Dabei handelt es sich um ein CiM-Makro auf Basis von ReRAM Zelle besteht aus der Kombination von einem Transistor mit einem Widerstand 1T1R das ohne A D-Wandler auskommt Die meisten CIM-Makros nutzen ADCs die aber die Leistung beschränken und Genauigkeitsverluste zur Folge haben In dem Vortrag wird ein ADCfreies Speicherschema vorgeschlagen das auf eine analoge Signalverarbeitung mit direkter Digitalisierung setzt Dadurch halbiert sich die Fläche für die Abtastschaltung die Recheneffizienz wird um den Faktor 4 3 verbessert und der Durchsatz um den Faktor 6 9 erhöht Dieser Ansatz gilt als Möglichkeit zukünftige CIM-Makros ohne ADCs zu realisieren Daneben gibt es aber natürlich auch wichtige Weiterentwicklungen auf der Prozessseite So zeigt Intel beispielsweise Details über seine Intel-4-CMOS-Technologie mit FinFETs Im Vergleich zu Intel-7 wird der Flächenbedarf halbiert und die Performance um 20 Prozent angehoben bei gleichbleibender Leistungsaufnahme Der Gate Pitch wird mit 50 nm angegeben der Fin Pitch mit 30 nm und der minimale Metall-Pitch mit ebenfalls 30 nm Es sind bis zu 16 Metallisierungslagen möglich Vom Imec kommt ein Vortrag über ein neuartiges Routing-Schema Das Forschungszentrum arbeitet seit Jahren an seiner BPR-Technik und war bereits 2020 in Honolulu mit einem Test-Chip vertreten bei der diese Technologie zum Einsatz kommt BPR steht für »Buried Power Rail« bei der die Stromschienen unter die Transistoren verlegt werden Damit ergeben sich zwei Vorteile ein geringerer Spannungsabfall und eine höhere Routing-Dichte da Signalund Stromversorgungsrouten nicht mehr in Konflikt zueinander stehen In diesem Jahr geht Imec einen Schritt weiter und nutzt die BPR-Technik für Stromanschlüsse auf beiden Wafer-Seiten Auch in diesem Fall kann das imec zeigen dass sich der dynamische wie statische Spannungsabfall verringert und dass die P NMOS-Transistoren ähnliche oder sogar bessere Ion -Ioff -Werte aufweisen Im Speicherbereich werden ebenfalls wichtige Neuerungen gezeigt IBM zum Beispiel geht in seinem Vortrag auf Weiterentwicklungen im MRAM-Bereich ein Auch wenn die STT-MRAM-Technologie bereits in der Serienfertigung Spin-Transfer Torque Magnetoresistive RAM sind sind die Zuverlässigkeit und die Geschwindigkeit der Bausteine durchaus verbesserungswürdig IBM zeigt in seinem Vortrag dass ein Schalten im Sub-Nanosekunden-Bereich mithilfe von Double-Spin-Torque Magnetic-Tunnel-Junctions DS-MTJs möglich sind Die Technik ermöglicht auch eine geringe Fehlerrate bei Schreibvorgängen mit Schreibimpulsen von ≤250 ps In Hinblick auf die Zuverlässigkeit verweisen die Forscher darauf dass auch Fortsetzung von Seite 1 Halbleiterhersteller setzen auf 3 HIOKI EUROPE GmbH Helfmann-Park 2 65760 Eschborn hioki@hioki eu www batterymeasurementhioki com Sprechen Sie uns an Messlösungen für die Batterieindustrie Profitieren Sie von 35 Jahren Erfahrung in der elektronischen Messtechnik für Lithium-Ionen Batterien Japanische Präzision seit 1935 Das Symposium in Präsenz und online Das Symposium on VLSI Technology and Circuits findet vom 13 bis 17 Juni in Honolulu statt die Online-Variante läuft vom 20 bis zum 21 Juni In diesem Jahr haben sich die Veranstalter erstmals dazu entschlossen die ehemals getrennten Symposien für Technologie und Schaltungen zu einem zu verschmelzen Die Konferenz trägt das Motto »Technologie und Schaltungen für die kritische Infrastruktur der Zukunft« Bislang haben sich 568 Teilnehmer für die Präsenzveranstaltung angemeldet 490 wollen virtuell teilnehmen Es wurden für den Technologiebereich insgesamt 217 Vorträge über 50 Prozent aus dem akademischen Umfeld eingereicht wobei Neale Dutton Publicity Chair für den Circuits-Bereich betont dass in diesem Jahr die Anzahl der Vorträge aus dem Memoryund New-Computing-Bereich stark zugenommen hat gleichzeitig aber weniger Vorträge aus dem Bereich Prozesstechnik eingegangen sind Im Bereich Circuits wurden 332 Vorträge eingereicht auch hier der Großteil aus dem universitären Umfeld Neben den regulären Sessions in beiden Bereichen gibt es in diesem Jahr auch gemeinsame Sessions sowie vier Plenary-Vorträge von SK Hynix ASML Qualcomm und TSMC st