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Nr 20 2022 www markttechnik de Aktuell Nachrichten 3 schwenken Profiteur dieser Entwicklung der fränkische Power-Modul-Spezialist Semikron Das Unternehmen unterzeichnete bereits im Februar dieses Jahres einen Liefervertrag für seine eM-Pack-SiC-Module im Wert von über 1 Milliarde Euro Wie Semikron-CEO und CTO Karl-Heinz Gaubatz auf der PCIM erklärte werden bis zum Sommer dieses Jahres noch weitere Verträge mit nationalen und internationalen Automobilherstellern und Tier-Ones folgen Als einer der Lieferanten von SiC-MOSFETs für die eMPack-Module gab sich auf der Messe STMicroelectronics zu erkennen »Basierend auf unserer SiC-Technologie sind die fortschrittlichen skalierbaren Power-Module der eMPack-Familie von Semikron in der Lage einen entscheidenden Beitrag zur emissionsfreien Motorisierung zu leisten« kommentierte Edoardo Merli General Manager der Power Transistor Sub-Group und Executive Vice President von STMicroelectronics die Zusammenarbeit Wie sehr der Bedarf gerade auch in den letzten Monaten angezogen hat machte Dr John Palmour CTO und Mitgründer von Wolfspeed deutlich »Ursprünglich wollten wir unsere Ende April offiziell eröffnete neue 200-mm-SiC-Fertigung in Mohawk Valley New York gemischt mit 150-mmund 200-mm-Equipment befüllen Aber wir haben uns entschieden gleich ausschließlich mit 200-mm-Equipment zu starten und die Fab so schnell wie möglich auf ihr volles Produktionsvolumen zu bringen « Das könnte bereits Ende 2024 der Fall sein Inzwischen beschäftigt man sich bei Wolfspeed nicht nur mit der demnächst anstehenden Entscheidung über den Bau einer weiteren Fab die wohl mit hoher Wahrscheinlichkeit in Europa entstehen wird sondern auch mit massiven Ausbauplänen bei der Substratfertigung den SiC-Boules Neben dem Ausbau der bereits existierenden Produktionsstätten ist Wolfspeed derzeit auf der Suche nach einem zusätzlichen Produktionsstandort für SiC-Substrate Auf der PCIM selbst präsentierte Wolfspeed seine vierte Generation planarer SiC-MOSFETs Gegenüber der ersten Generation vor elf Jahren ist die Chipfläche der neuesten SiC-MOSFET-Generation um fast zwei Drittel geschrumpft Dr Palmour bestätigte dass sein Unternehmen das Thema SiC-Trench-MOSFETs zwar im Auge behalte mit entsprechenden Produkten ist aber offensichtlich nicht vor Ende dieses Jahrzehnts zu rechnen Auch onsemi und STMicroelectronics arbeiten mit Hochdruck daran sowohl die Fertigung von SiC-MOSFETs als auch eigener Substrate auszubauen Beide Unternehmen hatten sich durch entsprechende Übernahmen verstärkt und schrauben nun die internen Produktionskapazitäten als vertikal integrierte Unternehmen im SiC-Bereich hoch Wie onsemi auf der Messe bekanntgab liefert das Unternehmen seine neuen VE-Trac-Direct-SiC-Leistungsmodule an den chinesischen Elektrofahrzeughersteller Nio der diese Module in den Traktionsumrichtern seiner zukünftigen Fahrzeuge verwenden wird Neben den etablierten großen SiC-Playern zeigten auf der Messe auch andere Unternehmen ihre Fortschritte in diesem Bereich Auffällig dabei ist dass namhafte japanische Hersteller wie Mitsubishi Electric und Fuji Electric zwar sehr deutlich machen dass sie mit den Entwicklungsschritten im SiC-Bereich Schritt halten ihre SiC-MOS-FETs bislang aber nur in-House einsetzen Aktuelles Beispiel dafür war auf der Messe Fuji Electric Wie Fred Eschrich General Manager der Automotive Semiconductor Division am Stand zeigt bietet das Unternehmen nun auch in Europa entsprechend integrierte Produkte für den Antriebsbereich an als diskrete Chips bietet Fuji Electric diese SiC-MOSFETs in Europa aber nicht an Dafür beginnen sich zunehmend chinesische SiC-Modul-Hersteller auf dem deutschen und europäischen Markt zu etablieren Zu den bekanntesten zählen hier sicher bereits seit Längerem StarPower und CRRC Dynex Nach Auskunft von Peter Frey CEO von StarPower Europe verwendet sein Unternehmen bisher SiC-MOSFETs von Wolfspeed und Rohm Semiconductor für seine SiC-Module mit denen sich das Unternehmen in Europa auf Automotiveund Industrie-Applikationen konzentriert Mit dem Einsatz von SiC-MOS-FETs aus chinesischer Produktion rechnet Frey in etwa fünf Jahren mit Schwerpunkt auf Bausteinen mit Sperrspannungen von 650 750 und 1200 V Zu den neuen Playern aus China zählt Leapers Semiconductor Das Besondere an diesem Unter-Fortsetzung von Seite 1 Der SiC-Tsunami kommt HIOKI EUROPE GmbH Helfmann-Park 2 65760 Eschborn hioki@hioki eu www batterymeasurementhioki com Sprechen Sie uns an Messlösungen für die Batterieindustrie Profitieren Sie von 35 Jahren Erfahrung in der elektronischen Messtechnik für Lithium-Ionen Batterien Japanische Präzision seit 1935 Dr John Palmour Wolfspeed »Ursprünglich wollten wir unsere neue 200-mm-SiC-Fertigung in Mohawk Valley New York schrittweise mit zusätzlichen Fertigungslinien befüllen nun versuchen wir die Fab so schnell wie möglich zu ihrem vollen Produktionsvolumen zu führen «