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Nr 44 2021 www markttechnik de 39 Anzeige Eine hohe Eingangsspannung zeichnet den neuen Typ-C-Power-Delivery-Sink-Schutzschalter von Alpha and Omega Semicondcutor aus Für den Rückstromschutz wendet der Schalter das Prinzip der idealen Diode an So sind der AOZ13984DI-02 und der AOZ 13987DI-02 intelligente Schutzschalter in einem kleinen thermisch verbesserten 3 mm × 3 mm großen DFN-Gehäuse Die Produkte nutzen die Co-Packaging-Technologie von AO die einen Hochleistungs-IC mit Schutzfunktionen und den jüngsten Trench-MOSFET des Unternehmens mit hohem SOA kombiniert In dieser Zusammensetzung bieten die neue Bausteine einen niedrigen R DS on von 20 mΩ AOZ 13987DI-02 oder 33 mΩ AOZ13984DI-02 und Backto-Back-MOSFETs um jeglichen Rückstrom unter Fehlerbedingungen zu blockieren und sind für eine absolute Maximalspannung von bis zu 28 Vgeeignet Beide Bausteine verfügen über Ideal Diode True Reverse Current Blocking das unter allen Bedingungen keinen Rückstrom zulässt Je nach Modell liegen die Nettostückpreise ab 1000 Bausteinen bei 95 US-Cent AOZ13987DI-02 oder 84 US-Cent AOZ13984DI-02 eg ■ Alpha and Omega Semiconductor Schutzschalter mit idealen Dioden für Typ-C-Stromversorgungen STMicroelectronics Geringere Schaltverluste höhere Effizienz S TMicroelectronics hat damit begonnen die ersten Bauteile der neuen Superjunction-MOSFET-Serie STPower MDmesh K6 auf den Markt zu bringen Aktuell bietet die neue Serie das beste auf dem Markt verfügbare Produkt bezüglich R DS on und Fläche ST hat die Schwellenspannung der K6-Serie gegenüber dem Vorgängergeneration MDmesh K5 gesenkt Dies gestattet die Verwendung einer geringeren Treiberspannung Dies wiederum führt zu niedrigeren Verlusten und einem höheren Wirkungsgrad hauptsächlich in Anwendungen mit Null-Watt-Standby-Betriebsart Auch fällt die Gesamt-Gateladung Qg ebenfalls sehr gering aus und ermöglicht damit nicht nur hohe Schaltgeschwindigkeiten sondern führt auch zu niedrigeren Verlusten Eine integrierte ESD-Schutzdiode kommt der allgemeinen Robustheit des MOSFETs bis hin zum Human Body Mdel HBM Klasse 2 zugute Als erster Baustein der neuen Serie wird der STP80N240K6 mit einem Einschaltwiderstand von 0 22 Ω und Qg typ 25 9 nC bereits in Serienstückzahlen gefertigt Erhältlich ist er im TO-220-Gehäuse für die Durchsteckmontage Bis Januar nächsten Jahres wird dann die Massenproduktion der DPAKund TO-220FP-Versionen beginnen Das gesamte Produktspektrum der MDmesh-K6-MOSFETs das einen R DS on -Bereich von 0 22 bis 4 5 Ω abdeckt wird dann bis 2022 auf den Markt kommen Bei einem Auftragsvolumen von 1000 MOSFETs beginnen die Nettopreise der neuen Bausteine bei 1 013 US-Dollar eg ■ Power Innovations Leistungssteigerung bei Parallelschaltung um 20 Prozent Mit dem ScaleiFlex-LT-Gate-Treiber von Power Innovations Vertrieb Hy-Line Power Components lassen sich bis zu sechs IGBT-Module parallel treiben Dank einer besseren Stromaufteilung ist es zudem möglich bei gleicher Leistung durchschnittlich auf eines von sechs Modulen zu verzichten Dank weniger als 20 ns Abweichung zwischen den Modulen beim Einund Ausschaltzeitpunkt ist der Unterschied bei der Stromaufteilung unter 20 Abei einem maximalen Schaltstrom von 600 A Auf ein Strom-Derating wie es bei anderen Treibern benötigt wird kann deshalb verzichtet werden Es lassen sich bis zu sechs 17-mm-Dual-IGBT-Module von einer „Isolated Master Control“- IMC Einheit bedienen Die Gegenstücke am Modul die Adapted Gate Driver MAGs passen direkt auf die IGBT-Module Sie enthalten jeweils zwei Scale-2 ASICs einen pro Kanal welche die symmetrische Parallelschaltung und die Effizienz optimieren und besonders sichere Schutzschaltungen für die IGBT-Module enthalten Dank des schnellen Einund Ausschaltens des Scale-2 ASIC mit integrierter Booster-Stufe reduzieren die ScaleiFlex LT Gate Driver die Schaltverluste um 3 bis 5 Prozent eg ■