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12 Elektronik 21 2021 LeistungshaLbLeiter Siliziumkarbid-MOSFETs Die neue Generation kann mehr Über die letzten gut zehn Jahre hat Rohm mehrere Generationen an Siliziumkarbid-MOSFETs vorgestellt Was bei der neuen vierten Generation verbessert wurde und welche Entwicklungsunterstützung es gibt das wird im folgenden Beitrag beleuchtet Von Christian Felgemacher Felipe Filsecker Vikneswaran Thayumanasamy C Fuentes M Murata M Terada S Kitagawa und A Mashaly Bild Roh m Sem ic on du ct or