Der Blätterkatalog benötigt Javascript.
Bitte aktivieren Sie Javascript in Ihren Browser-Einstellungen.
The Blätterkatalog requires Javascript.
Please activate Javascript in your browser settings.
Nr 25 2021 www markttechnik de 3 Aktuell Nachrichten besonderen Highlights bei den Wide Bandgap Devices wahrgenommen« Auffällig für ihn war jedoch »dass gerade bei Wide-Bandgap-Technologien die Chinesen mit etwa 50 Prozent der Vorträge dominierend waren das zeigt sehr deutlich wohin die Reise in Zukunft geht« »In unserer Wahrnehmung sind aktuell alle von uns vertretenen Hersteller mit den unübersehbaren Auswirkungen der Rohstoffverknappung sowie der hohen Produktionsauslastung beschäftigt« so Harald Kasteleiner Business Unit Manager Analog Power bei Glyn »Diese Herausforderung scheint die technischen Neuerungen sowie große Innovationen in den Schatten zu stellen « Eine Einschätzung die Bernd Riemann Senior Field Application Engineer Europe bei Alpha and Omega Semiconductor in gewisser Weise bestätigt »Aufgrund der Allokationssituation bei Leistungshalbleitern liegt unser Fokus ganz klar auf der Erfüllung der Aufträge und damit verbunden der Fertigungsoptimierung Prototypenfertigung ist in der Priorität ein wenig zurückgestuft worden « Aus Sicht von Udo Blaga Power-Experte bei Avnet Silica für die DACH-Region »ist es nicht ungewöhnlich dass die Hersteller nach der ersten Euphorie dazu übergehen Rückmeldungen und Ideen aus dem Markt mit einer neuen Generation von Dioden und MOS-FETs abzubilden« Keinen Stillstand erkennen kann auch Michael Piela Senior Product Marketing Engineer bei Toshiba Electronics Europe »denn die Entwicklungen durchlaufen Transitionen durch Produktgenerationen mit dem Ziel möglichst verlustarme kompakte Applikationen von hoher Leistungsdichte zu ermöglichen Im SiC-Bereich arbeiten wir aktuell mit der dritten MOSFET-Generation an Verbesserungen des Tradeoff zwischen R DS on und Kapazitäten die helfen die Effizienz in den Ziel-Applikationen Photovoltaik und EV-Charger im Off-Board-Bereich zu optimieren« Wie attraktiv der SiCund GaN-Markt ist zeigen aktuelle Zahlen der Marktforscher Nach Einschätzung von Yole Développement wird das Umsatzvolumen mit SiC-Bauelementen in diesem Jahr erstmals die 1-Milliarde-Dollar-Umsatzgrenze überschreiten Für die Folgejahre erwarten die französischen Analysten ein rapides Marktwachstum auf voraussichtlich 5 Milliarden Dollar im Jahr 2026 Das entspräche einem durchschnittlichen jährlichen Wachstum von 37 Prozent Ganz ähnlich sehen die Prognosen aus Lyon für den Bereich der GaN-Leistungshalbleiter aus Mit 68 Prozent ist das durchschnittliche jährliche Marktwachstum im GaN-Bereich fast doppelt so hoch wie bei SiC Es sind genau diese Wachstumsraten die die Entwicklungsanstrengungen im SiCund GaN-Bereich weiter hoch halten auch wenn Weltneuheiten aktuell selten sind STMicroelectronics zählt zu den Anbietern die bereits 750-V-SiC-MOSFETs in Serie produzieren – bislang offenbar ausschließlich für Tesla Das wird sich nun ändern Ab dem 4 Quartal 2021 stellt ST seine SiC-Produkte der 3 Generation zu denen auch die 750-SiC-MOSFETs zählen allen Interessenten zur Verfügung On Semiconductor Manager Gargallo verweist darauf »dass wir in diesem Jahr bereits unsere ersten 650-V-SiC-MOSFETs auf den Markt gebracht haben und wir sind auch dabei unsere 2 Generation von 1200-V-SiC-MOSFETs auf den Markt zu bringen« Weitere Neuheiten sollen noch in diesem Jahr folgen ob auch 750-V-SiC-MOSFETs dabei sind? Bei Infineon Technologies verweist man darauf mit über 200 verschiedenen CoolSiC-Produkten eines der wenn nicht das umfangreichste Produktspektrum im SiC-Bereich zu haben Gespeist aus dem Industrieund Automotive-Markt erwartet Infineon 2021 „Ein effi zienteres Bedienkonzept für unsere neue Maschinengeneration? Da rief ich Elektrosil an “ LESEN SIE HIER WEITER T Anzeige Fortsetzung von Seite 1 Auftragserfüllung eine Verdoppelung seines SiC-Umsatzes gegenüber 2020 Einen entscheidenden Kick soll die in einem fortgeschrittenen Entwicklungsstadium befindliche 2 Generation der in Trench-Technik gefertigten CoolSiC-MOSFETs liefern Sie wird die Power Performance gegenüber der 1 Generation um 25 bis 30 Prozent steigern und damit das potenzielle Einsatzfeld für SiC-MOSFETs noch einmal signifikant vergrößern Neues hat man auch bei Alpha and Omega Semiconductor zu vermel den »Wir haben kürzlich unsere ersten SiC-MOSFETs mit Automotive-Zulassung auf den Markt gebracht« berichtet Riemann »Wir werden das Produktspektrum weiter ausbauen dazu zählt auch eine Familie von 650-V-SiC-MOSFETs « Aus Sicht von Florian Freund Director Engineering DACH bei Arrow Electronics »sind die niedrigen Spannungen wie 650-und 750-V-SiC-MOSFETs am Markt mittlerweile grundsätzlich verfügbar und werden auch in den neuen Designs eingesetzt« Ein Redesign von etablierten 950-Vauf 750-V-Applikationen sieht er jedoch nicht »Der Hochlauf der 650-und 750-V-SiC-MOSFETs wird dementsprechend erst mit neuen Projektstarts stattfinden « »Von einem Stillstand kann bei Nexperia keine Rede sein« versichert Dr Dirk Wittorf Strategic Marketing Manager »wir befinden uns eher mitten in einem Dauerlauf « Nach dem GaN-Markteintritt vor eineinhalb Jahren und der Freigabe der GaN HEMT H2 im TO-247-Gehäuse bietet Nexperia nun als erster Hersteller GaN-FETs im SMD-Gehäuse an eg rh ■ Fortsetzung von Seite 1 Wann kommt Gaia-X Großprojektes auf dem Digitalgipfel 2019 wurden Gremien aufgebaut Förderkonzepte installiert und neue Mitglieder auf die europäischen Standards verpflichtet Am 7 Juni wurde das neue 24-köpfige Board of Directors unter der Leitung des Deutschen Maximilian Ahrens CTO von T-Systems gewählt Als technische Basis wurden in einer ersten Spezifikationsrunde vier Federation Services definiert > Knackpunkt Integration Als »zentrale Herausforderung« von Gaia-Xauf dem Weg zum digitalen Shop floor sieht die Datenschutzund IP-Expertin Susanne Dehmel Mitglied der Geschäftsleitung beim Digitalverband Bitkom und Teil des neuen Board of Directors »die konkrete Integration der Federation Services IT mit der Produktionstechnologie OT « Die Federation Services sind das Herzstück des Architektur-Designs von Gaia-X In den vier definierten Services geht es um digitale Identitäten die verfügbaren Katalogdienste souveränen Datenaustausch und Compliance Die Spezifikationsdokumente der Ende Mai veröffentlichten Grundsäulen des Ökosystems sind auf GitLab öffentlich abrufund einsehbar und sollen bis Ende des Jahres in Quellcode eine sogenannte Alpha-Version der Gaia-X-Seite 8