Der Blätterkatalog benötigt Javascript.
Bitte aktivieren Sie Javascript in Ihren Browser-Einstellungen.
The Blätterkatalog requires Javascript.
Please activate Javascript in your browser settings.
22 Elektronik 11 2021 Leistungselektronik Seit März 2010 fertigt Efficient Power Conversion EPC unter dem Markennamen eGaN Leistungshalbleiter auf Basis von Galliumnitrid GaN in Serie Mittlerweile haben diese eine bemerkenswerte Zuverlässigkeit im Feld erreicht 1 Doch wie bei allen Leistungstransistoren zählen auch bei diesen Spannung Strom Temperatur Luftfeuchtigkeit sowie mechanische Bei neuartigen Bauelementen stellen sich stets Fragen zur langfristigen Zuverlässigkeit Im Folgenden geht es darum wie das Verständnis der grundlegenden Ausfallursachen zu immer zuverlässigeren GaN-Transistoren geführt hat Von Robert Strittmatter Alejandro Pozo und Alex Lidow Belastungen zu den wesentlichen Belastungsarten die auf verschiedene Weise einwirken können So kann eine Spannungsbelastung eines GaN-FETs zwischen Gateund Source-Anschluss sowie zwischen Drainund SourceAnschluss vorliegen Ferner können diese Belastungen kontinuierlich als DC-Vorspannung DC Bias anliegen sie können einund ausgeschaltet werden oder als Transienten vorliegen Die Strombelastung kann kontinuierlicher Gleichstrom oder gepulster Strom sein Thermische Belastungen können fortdauernd auftreten wenn die Bauelemente über einen bestimmten Zeitraum bei einer vorbestimmten Extremtemperatur betrieben werden oder die Temperatur verändert sich auf verschiedene Weise zyklisch Bild Lightspring | Shutterstock Lebensdauer von Galliumnitrid-Transistoren Zuverlässig trotz Belastung