Der Blätterkatalog benötigt Javascript.
Bitte aktivieren Sie Javascript in Ihren Browser-Einstellungen.
The Blätterkatalog requires Javascript.
Please activate Javascript in your browser settings.
11 2021 Elektronik 19 Leistungselektronik werden Dies minimiert die elektromagnetische Störaussendung die in Industrieanlagen entstehen ➔ Die Bauelemente sind im Gehäuse zur Durchsteckmontage für Leistungen bis 100 Wüber 36 Wist der Einsatz eines Kühlkörpers erforderlich und im SMD-Gehäuse TO-263-7L für Leistungen bis 48 Wohne Kühlkörper erhältlich Besonderheiten des Gehäuses Aufgrund von Problemen beim Einhalten der Luftund Kriechstrecken ist die Verwendung eines Bauteils zur Durchsteckmontage auf bestimmte Applikationen beschränkt zum Beispiel industrielle Anwendungen Um am Gehäuse Schäden durch hohe elektrische Spannungen zu vermeiden definiert die IEC 60950 MindestKriechstrecken mit drei Kategorien Verschmutzungsgrad PD Materialgruppe Index und Eingangsspannung RMS Das neue SMD-Gehäuse von Rohm eignet sich für einen Verschmutzungsgrad von PD = 2 ist der Materialgruppe 2 zugeordnet und der Eingangsspannung 950 V Uin 900 V + UOR 100 V + Uspike 400 V = 1400 V Um die Anforderungen zu erfüllen ist daher eine Kriechstrecke zwischen 5 6 mm bis 7 1 mm notwendig Die Kriechstrecke des SMD-Bauteils BM2SC12xFP2-LBZ ist mit 6 8 mm typ spezifiziert und erfüllt damit die Marktanforderungen Außerdem fallen bei SMD-Bauteilen keine zusätzlichen Kosten für einen Kühlkörper an und es werden keine elektromagnetischen Abstrahlungen erzeugt wie sie bei THT-Bauteilen am Drain-Pin üblicherweise entstehen Im Vergleich zum Durchsteckgehäuse das eine flexible Gestaltung des Kühlkörpers unterstützt wird das TO263-Gehäuse direkt auf die Leiterplatte Bild 4 Detaillierteres Blockschaltbild des Sperrwandlers mit dem BM2SC12xFP2-LBZ Bild Rohm Semiconductor montiert Daher lässt sich ein Kühlkörper der die Verlustwärme ableitet nicht integrieren Folglich hängt die Ausgangsleistung des ICs stark davon ab wie die Leiterplatte gelayoutet wurde Im Hinblick auf diesen relevanten Aspekt verwendete Rohm für die thermische Evaluierung des ICs drei unterschiedliche Leiterplatten mit unterschiedlicher Kupferfläche zur Kühlung des ICs 78 mm² 300 mm² und 600 mm² Bild 2 Abgesehen von der Tatsache dass steigende Eingangsspannungen die Oberflächentemperatur des ICs erhöht sinkt die Oberflächentemperatur mit größerer Kupferfläche Zum Beispiel sinkt die Temperatur von +84 2 °C Uin = 900 Vbei einer Kupferfläche von 78 mm² auf +70 7 °Cbei einer Kupferfläche von 600 mm² jeweils bei einer Raumtemperatur von +25 °C Da die Umgebungstemperatur die Oberflächentemperatur des ICs stark beeinflusst sollten die Entwickler ihre volle Aufmerksamkeit