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die Lastinduktivität zum Beispiel L = 65 7 µH in den Testbedingungen erwähnt Diese Lastinduktivität wird verwendet um den spezifizierten Strom ID bereitzustellen und ist nicht Teil der Leistungsschleife Und schließlich gilt es zu klären unter welchen Betriebsbedingungen das Gerät getestet wird Im Beispiel in Bild 1 sieht man die typischerweise angegebenen Parameter VDD VDS = 800 V ID = 50 A RG ext = 2 5 Ω VGS = +15 -4 V Temperatur = 25 ˚C 175 ˚C Bild 1 Schaltverhalten eines SiC-Mosfets gemäß Datenblatt Datenblatt Cree C3M0021120D Seite 2 Rev 08-2019 Bild 2 Vereinfachter DPT-Aufbau für das Datenblatt eines SiC-Mosfets Datenblatt Rohm SCT2080KE Fig 3-1 2015 Experten lösen Ihre Messaufgabe Über 20 technische Experten im Außendienst stehen Ihnen jederzeit für ein individuelles Beratungsgespräch zur Verfügung Ob vor Ort am Telefon oder per Online-Demo Jetzt Termin vereinbaren >>> www datatec de experten Hauptsitz in Reutlingen dataTec_D+E_0321 pdf S 1 Format 210 00 x 143 00 mm 23 Mar 2021 14 52 37 Anzeige